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DPI2100P45A5200
Press-Pack IGBT 4500V/2100A
Nicht mehr auf Lager
| ID Code: | 178526 |
| Hersteller: | Dynex Semiconductor |
| Preis: | auf Anfrage |
| MwSt.: | 21 % |
| Verfügbarkeit: | auf Anfrage |
| Gesamtbestand: | 0 Stück |
| Herstellerkennzeichnung: | DPI2100P45A5200 |
| Einheit:: | Stück |
| Übersicht über Mengenrabatte | Anzahl (Stück) | Preis ohne MwSt. | Preis inkl. MwSt. |
Press-Pack IGBT 4500V/2100A
Grundlegende Informationen:
| Herstellerkennzeichnung | DPI2100P45A5200 |
| Kategorie | IGBT Full Silicon |
| Konfiguration: | single (1T) |
| Konstruktion: | 1*IGBT |
| Anzahl der Schaltungen (im Gehäuse) | 1 ks |
| Gehäusetyp: | PUK |
| Gehäuse [inch] : | PUK170/125x27T |
| Art des Materials: | Si-Silicon |
| RoHS | Ja |
| REACH | Nein |
| NOVINKA | N |
| RoHS1 | Ano |
Verpackung und Gewicht:
| Einheit: | Stück |
| Gewicht: | 3700 [g] |
| Verpackungstyp: | BOX |
| Kleinpackung (Anzahl der Einheiten): | 6 |
Elektrophysikalische Parameter:
| IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 2100 [A] |
| Idc max (Tc/Ta=70÷79°C) | 2100 [A] |
| UCE (sat) (@25°C) | 2.4 [V] |
| Pmax mit Kühler (TC=25°C) | 22700 [W] |
| tr (Turn-on / rise time) | 420 [ns] |
| tf/tq (Turn-off / fall time) | 1900 [ns] |
| Qg (Total Gate Charge) | 38000 [nC] |
Thermische und mechanische Parameter:
| Tmin (minimale Arbeitstemperatur) | -40 [°C] |
| Tmax (maximale Arbeitstemperatur) | 125 [°C] |
| Rth-c (Wärmewiderstand) | 0.0044 [°C/W] ? Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse Rth-c - Folienoberfläche inch2 |
| D - Ø (Außendurchmesser) | 170 [mm] |
| H - Höhe | 27 [mm] |
| Fmin: | 50000 [N] |
| Fmax: | 70000 [N] |
Alternativen und Ersätze
| Alternative Produkte 1: | T1800GB45E |
| Alternative Produkte 2: | 5SNA 2000K451300 |