C> 2M /1700 C3Kj R51
Film Capacitor IGBT Snubber, 2uF 650Vac 5%, I=36A, 750V/us, ESR=1mOhm, dia.70x45mm
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ID Code: 176380 Hersteller: Xiamen Faratronic
Preis inkl. MwSt. :
98,706115 €
Preis ohne MwSt. :
81,575302 €
MwSt.: 21 % Verfügbarkeit: auf Anfrage Gesamtbestand: 0 Stück Herstellerkennzeichnung C3K7M205J70H421 Zentrallager Zdice 0 Stück Einheit: Stück Nominalwert: 2.0 µF
Übersicht über Mengenrabatte Anzahl (Stück) Preis ohne MwSt. Preis inkl. MwSt. 1 + 81,575302 € 98,706115 € 5 + 76,469424 € 92,528003 € 10 + 71,363546 € 86,349891 € 20 + 63,724520 € 77,106669 €
Film Capacitor IGBT Snubber, 2uF 650Vac 5%, I=36A, 750V/us, ESR=1mOhm, dia.70x45mm
Grundlegende Informationen: Herstellerkennzeichnung C3K7M205J70H421 Art der Komponente: Film Power Konfiguration: IGBT SNUBBER Konstruktion: T-female M8 Form: Cylinder Gehäusetyp: THT Material: Gehäuse polypropylen Nominalwert: 2.0 µF Toleranz des Nominalwertes ± 5 % RoHS Ja REACH Nein NOVINKA N
Verpackung und Gewicht: Einheit: Stück Gewicht: 0.099 [g] Verpackungstyp: BOX Kleinpackung (Anzahl der Einheiten): 10
Elektrophysikalische Parameter: Udc (URRM , UCEO , Umax ) 1700.0 [V] ? Udc Definitionen für Komponenten
Udc = U RRM
Udc = UDRM , U RRM
Udc = U CEO
Udc = U max
UAC-IN.Nom (Nom. Eingangswechselspannung)650 [V] Iripple rms (100 kHz, Tmax) 36000 [mA] du/dt (critical rate of rise of on-state voltage)750 [V/µs] ESR 1 [mΩ] ESL Effective Series Inductance 18 [nH]
Thermische und mechanische Parameter: Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-40 [°C] Tmax (maximale Arbeitstemperatur)85 [°C] RM - Anschlussraster 51 [mm] Anzahl der Stifte 2 D - Ø (Außendurchmesser) 70 [mm] L - Länge 45 [mm] H - Höhe 45 [mm]
Alternativen und Ersätze Alternative Produkte 1: GTOMS04200GA00JS00 (1500V!) Alternative Produkte 2: GTOMU04200GB00JS00 (2000V!)
