IGBT 1200V Hybrid SiC
ID Code: | 173631 |
Hersteller: | Semikron |
Preis: | auf Anfrage |
MwSt.: | 21 % |
Verfügbarkeit: | auf Anfrage |
Gesamtbestand: | 0 Stück |
Herstellerkennzeichnung: | SKM200GB12T4SiC2 |
Einheit:: | Stück |
Übersicht über Mengenrabatte | Anzahl (Stück) | Preis ohne MwSt. | Preis inkl. MwSt. |
Herstellerkennzeichnung | SKM200GB12T4SiC2 |
Kategorie | IGBT Hybrid SiC |
Konfiguration: | Half Bridge 1*(Phase Leg) |
Konstruktion: | 2*(IGBT+D) |
Anzahl der Schaltungen (im Gehäuse) | 2 ks |
Gehäusetyp: | Modul |
Gehäuse [inch] : | SEMITRANS-3 |
Art des Materials: | SiC Hybrid |
Material Base | Cu |
RoHS | Ja |
REACH | Nein |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Einheit: | Stück |
Gewicht: | 355 [g] |
Verpackungstyp: | BOX |
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten): | 12 |
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 246 [A] |
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) | 187 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 4000 [V] |
UF (maximum forward voltage) | 1.4 [VDC] ? Testbedingungen: |
UCE (sat) (@25°C) | 1.8 [V] |
tr (Turn-on / rise time) | 40 [ns] |
tf/tq (Turn-off / fall time) | 82 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 1130 [nC] |
Cin (Input Capacitance) | 12300 [pF] |
Maße (L*W*H) [mm]: | 108x62x31 |
Tmin (minimale Arbeitstemperatur) | -40 [°C] |
Tmax (maximale Arbeitstemperatur) | 125 [°C] |
Rth-c (Wärmewiderstand) | 0.14 [°C/W] ? Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse Rth-c - Folienoberfläche inch2 |
RM - Anschlussraster | 28 [mm] |
L - Länge | 106.4 [mm] |
W - Breite | 61.4 [mm] |
H - Höhe | 30.5 [mm] |
I+case 62x106_F05-AL2 Thermally Conductive Pad for insulated Packages as SEMITRANS-3 and in size 62x106mm ID: 176035 Hersteller-Nr.: F05-AL2_62x106mm_SEMITRANS3
| Gesamtbestand: 9104 Hersteller: SEMIC EU |