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SKIIP13ACM12V18
MOSFET 1200V Full SiC
Nicht mehr auf Lager
| ID Code: | 173644 |
| Hersteller: | Semikron |
| Preis: | auf Anfrage |
| MwSt.: | 21 % |
| Verfügbarkeit: | auf Anfrage |
| Gesamtbestand: | 0 Stück |
| Herstellerkennzeichnung: | SKiiP13ACM12V18 |
| Einheit:: | Stück |
| Übersicht über Mengenrabatte | Anzahl (Stück) | Preis ohne MwSt. | Preis inkl. MwSt. |
MOSFET 1200V Full SiC
Grundlegende Informationen:
| Herstellerkennzeichnung | SKiiP13ACM12V18 |
| Art der Komponente: | SiC MOSFET Tranzistor |
| Kategorie | Full SiC (MOS-BD) |
| Konfiguration: | Bridge 3f |
| Spezifikationen: | SiC N-Channel MOSFET |
| Konstruktion: | 6*FET-BD |
| Gehäusetyp: | Modul |
| Gehäuse [inch] : | MiniSKiiP_1 |
| Art des Materials: | SiC Full |
| RoHS | Ja |
| REACH | Nein |
| NOVINKA | N |
| RoHS1 | Ano |
Verpackung und Gewicht:
| Einheit: | Stück |
| Gewicht: | 30 [g] |
| Kleinpackung (Anzahl der Einheiten): | 120 |
Elektrophysikalische Parameter:
| Udc (URRM, UCEO, Umax) | 1200 [V] ? Udc - Definitionen für Komponenten Udc = URRM - Diode Udc = UDRM, URRM - Thyristor Udc = UCEO - Transistoren Udc = Umax - |
| Idc max (Tc/Ta=70÷79°C) | 19 [A] |
| Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 2500 [V] |
| tr (Turn-on / rise time) | 35 [ns] |
| tf/tq (Turn-off / fall time) | 85 [ns] |
| Qg (Total Gate Charge) | 110 [nC] |
| Cin (Input Capacitance) | 2070 [pF] |
Thermische und mechanische Parameter:
| Tmin (minimale Arbeitstemperatur) | -40 [°C] |
| Tmax (maximale Arbeitstemperatur) | 125 [°C] |
| Rth-c (Wärmewiderstand) | 1.5 [°C/W] ? Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse Rth-c - Folienoberfläche inch2 |