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SEMiX603GB12E4SiCp

IGBT 1200V Hybrid SiC

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SEMiX603GB12E4SiCp Semikron
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ID Code:173637
Hersteller:Semikron
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Herstellerkennzeichnung: SEMiX603GB12E4SiCp
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IGBT 1200V Hybrid SiC

Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungSEMiX603GB12E4SiCp 
KategorieIGBT Hybrid SiC 
Konfiguration:Half Bridge 1*(Phase Leg) 
Konstruktion:2*(IGBT+D) 
Anzahl der Schaltungen (im Gehäuse) 2 ks
Gehäusetyp:Modul 
Gehäuse [inch] :SEMiX-3p 
Art des Materials:SiC Hybrid 
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:450 [g]
Verpackungstyp:BOX 
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):

Elektrophysikalische Parameter:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)1100 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)853 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
UF (maximum forward voltage)1.4 [VDC] ?

Testbedingungen:
Ta=25°C, IF=In/Imax

UCE (sat) (@25°C)1.8 [V]
Qg (Total Gate Charge)3450 [nC]
Cin (Input Capacitance)37500 [pF]

Thermische und mechanische Parameter:

Maße (L*W*H) [mm]:150x62x21 
Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-40 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)125 [°C]
Rth-c (Wärmewiderstand)0.035 [°C/W] ?

Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten


Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse

Rth-c - Folienoberfläche inch2

L - Länge 150 [mm]
W - Breite 62 [mm]
H - Höhe 21 [mm]

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Menge [Stück]1+50+200+500+
EUR/Stück2,3315552,2327602,1142072,003557
Gesamtbestand: 1491
Hersteller: SEMIC EU  
RoHS
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