IGBT 1200V - 3-Level Inverter
Grundlegende Informationen:
Herstellerkennzeichnung | SEMiX405TMLI12E4B |
Kategorie | IGBT Full Silicon |
Konfiguration: | 3-level TNPC Inverter |
Konstruktion: | 4*(IGBT+D) |
Anzahl der Schaltungen (im Gehäuse) | 4 ks |
Gehäusetyp: | Modul |
Gehäuse [inch] : | SEMiX-5 |
Art des Materials: | Si-Silicon |
Material Base | Cu+AL2O3 |
RoHS | Ja |
REACH | Nein |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Verpackung und Gewicht:
Einheit: | Stück |
Gewicht: | 470 [g] |
Verpackungstyp: | BOX |
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten): | 10 |
Elektrophysikalische Parameter:
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 636 [A] |
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) | 490 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 4000 [V] |
UF (maximum forward voltage) | 2.2 [VDC] ?Testbedingungen: Ta=25°C, IF=In/Imax |
UCE (sat) (@25°C) | 1.8 [V] |
tr (Turn-on / rise time) | 128 [ns] |
tf/tq (Turn-off / fall time) | 121 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 3026 [nC] |
Cin (Input Capacitance) | 24600 [pF] |
Thermische und mechanische Parameter:
Maße (L*W*H) [mm]: | 130x103x21 |
Tmin (minimale Arbeitstemperatur) | -40 [°C] |
Tmax (maximale Arbeitstemperatur) | 125 [°C] |
Rth-c (Wärmewiderstand) | 0.14 [°C/W] ?Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten
Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse
Rth-c - Folienoberfläche inch2 |
L - Länge | 130 [mm] |
W - Breite | 103 [mm] |
H - Höhe | 21 [mm] |