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SEMiX205GD12E4

IGBT 1200V

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SEMiX205GD12E4 Semikron
Stück
ID Code:172872
Hersteller:Semikron
Preis inkl. MwSt. : 352,8246 €
Preis ohne MwSt. : 291,5906 €
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:auf Anfrage
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Herstellerkennzeichnung: SEMiX205GD12E4
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IGBT 1200V

Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungSEMiX205GD12E4 
Gehäusetyp:MODUL 
Gehäuse:SEMIX-5 
KategorieIGBT Full Silicon 
Konfiguration:Sixpack 
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKA

Elektrische Parameter:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V] ?

Udc - Definitionen für Komponenten


Udc = URRM - Diode

Udc = UDRM, URRM - Thyristor

Udc = UCEO - Transistoren

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)281 [A] ?

Strömen bei der niedrigsten Temperatur.
Die Angaben im Datenblatt.


Idc=IF (AV) - Diode

Idc=IT (AV) - Thyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Transistor: FET

 

 

Idc max (Tc/Ta=25°C)281 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)214 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
UF (maximum forward voltage)2.2 [VDC] ?

Testbedingungen:
Ta=25°C, IF=In/Imax

UCE (sat) (@25°C)1.8 [V]
tr (Turn-on / rise time)43 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)82 [ns]
fmax max.frequency (max./typ.)0.02 [MHz] ?

fmax - Definitionen für Komponenten


fmax = fT (BJT-transition frequency)

fmax = fmax (operation frequency)

Qg (Total Gate Charge)2087 [nC]
Cin (Input Capacitance)12500 [pF]

Material, Farbe, Design:

Art des Materials:!_si-silicon_! 

Thermische und mechanische Parameter:

Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-40 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)125 [°C]
Rth-c (Wärmewiderstand)0.18 [°C/W] ?

Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten


Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse

Rth-c - Folienoberfläche inch2

Abmessungen:

Abmessungen der Anschlüsse0.00 [mm]

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:398 [g]
VPE (Verpackung):10 

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