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SKIIP2013GB172-4DW

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SKIIP2013GB172-4DW Semikron
SKIIP2013GB172-4DW Semikron
SKIIP2013GB172-4DW Semikron
Stück
ID Code:170827
Hersteller:Semikron
Preis inkl. MwSt. : 3 591,268524 €
Preis ohne MwSt. : 2 967,990516 €
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:auf Anfrage
Gesamtbestand:0 Stück
Herstellerkennzeichnung: SKiiP2013GB172-4DW
Zentrallager Zdice: 0 Stück
Einheit:: Stück
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Anzahl (Stück)Preis ohne MwSt.Preis inkl. MwSt.
1 + 2 967,990516 €3 591,268524 €
9 + 2 473,345189 €2 992,747679 €
54 + 2 226,002766 €2 693,463347 €
216 + 2 102,351314 €2 543,845090 €


Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungSKiiP2013GB172-4DW 
KategorieIGBT IPM-Inteligent 
Konfiguration:Half Bridge 1*(Phase Leg) 
Konstruktion:8*IGBT+8*D 
Anzahl der Schaltungen (im Gehäuse) 8 ks
Gehäusetyp:Modul 
Gehäuse [inch] :SKiiP3-4F 
Art des Materials:Si-Silicon 
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:11100 [g]
Verpackungstyp:BOX 
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):10 

Elektrophysikalische Parameter:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)2102 [A]
Idc max (Tc/Ta=70÷79°C)1617 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)5600 [V]
UF (maximum forward voltage)[VDC] ?

Testbedingungen:
Ta=25°C, IF=In/Imax

UCE (sat) (@25°C)1.9 [V]
du/dt (critical rate of rise of on-state voltage)75000 [V/µs]
I2t (TC/TA=25°C)911000 [A2s]

Thermische und mechanische Parameter:

Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-40 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)85 [°C]
Rth-c (Wärmewiderstand)0.015 [°C/W] ?

Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten


Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse

Rth-c - Folienoberfläche inch2

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