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SKIIP1213GB123-2DL

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SKIIP1213GB123-2DL Semikron
SKIIP1213GB123-2DL Semikron
Stück
ID Code:172133
Hersteller:Semikron
Preis inkl. MwSt. : 1 780,0089 €
Preis ohne MwSt. : 1 471,0818 €
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:auf Anfrage
Gesamtbestand:0 Stück
Herstellerkennzeichnung: SKiiP1213GB123-2DL
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Einheit:: Stück
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Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungSKiiP1213GB123-2DL 
Gehäusetyp:MODUL 
Gehäuse:!_skiip3-2f_! 
KategorieIGBT IPM-Inteligent 
Konfiguration:Half Bridge 
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKA

Elektrische Parameter:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V] ?

Udc - Definitionen für Komponenten


Udc = URRM - Diode

Udc = UDRM, URRM - Thyristor

Udc = UCEO - Transistoren

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)1145 [A] ?

Strömen bei der niedrigsten Temperatur.
Die Angaben im Datenblatt.


Idc=IF (AV) - Diode

Idc=IT (AV) - Thyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Transistor: FET

 

 

Idc max (Tc/Ta=25°C)1145 [A]
Idc max (Tc/Ta=70÷79°C)882 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4300 [V]
UF (maximum forward voltage)1.5 [VDC] ?

Testbedingungen:
Ta=25°C, IF=In/Imax

UCE (sat) (@25°C)1.7 [V]
du/dt (critical rate of rise of on-state voltage)75000 [V/µs]
fmax max.frequency (max./typ.)0.015 [MHz] ?

fmax - Definitionen für Komponenten


fmax = fT (BJT-transition frequency)

fmax = fmax (operation frequency)

Cin (Input Capacitance)1000 [pF]

Material, Farbe, Design:

Art des Materials:!_si-silicon_! 

Thermische und mechanische Parameter:

Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-40 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)150 [°C]
Rth-c (Wärmewiderstand)0.024 [°C/W] ?

Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten


Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse

Rth-c - Folienoberfläche inch2

Abmessungen:

Abmessungen der Anschlüsse0.00 [mm]

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:7780 [g]
VPE (Verpackung):10 

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