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SEMiX453GB17E4lp

IGBT 1700V

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SEMiX453GB17E4lp Semikron
SEMiX453GB17E4lp Semikron
Stück
ID Code:171788
Hersteller:Semikron
Preis inkl. MwSt. : 291,6206 €
Preis ohne MwSt. : 241,0087 €
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:auf Anfrage
Gesamtbestand:0 Stück
Herstellerkennzeichnung: SEMiX453GB17E4Ip
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IGBT 1700V

Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungSEMiX453GB17E4Ip 
Gehäusetyp:!_mod_! 
Fall:SEMIX-3p 
Konfiguration:Half Bridge 
RoHSJa 
REACHNein 

Elektrische Parameter:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1700 [V] ?

Udc - Definitionen für Komponenten


Udc = URRM - Diode

Udc = UDRM, URRM - Thyristor

Udc = UCEO - Transistoren

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)731 [A] ?

Strömen bei der niedrigsten Temperatur.
Die Angaben im Datenblatt.


Idc=IF (AV) - Diode

Idc=IT (AV) - Thyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Transistor: FET

 

 

Idc max (Tc/Ta=25°C)731 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)555 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
UF (maximum forward voltage)1.98 [VDC] ?

Testbedingungen:
Ta=25°C, IF=In/Imax

UCE (sat) (@25°C)1.9 [V]
tr (Turn-on / rise time)90 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)200 [ns]
fmax max.frequency (max./typ.)0.015 [MHz] ?

fmax - Definitionen für Komponenten


fmax = fT (BJT-transition frequency)

fmax = fmax (operation frequency)

Qg (Total Gate Charge)3600 [nC]
Cin (Input Capacitance)36000 [pF]

Material, Farbe, Design:

Material:!_si-silicon_! 

Thermische und mechanische Parameter:

Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-40 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)175 [°C]
Rth-c (Wärmewiderstand)0.02 [°C/W] ?

Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten


Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse

Rth-c - Folienoberfläche inch2

Abmessungen:

Abmessungen der Anschlüsse0.00 [mm]

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:0.09 [g]
VPE (Verpackung):

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