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SEMiX603GB12E4p

Trans IGBT Module N-CH 1200V 1.11KA

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SEMiX603GB12E4p Semikron
SEMiX603GB12E4p Semikron
SEMiX603GB12E4p Semikron
Stück
ID Code:171772
Hersteller:Semikron
Preis inkl. MwSt. : 649,921011 €
Preis ohne MwSt. : 537,124803 €
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:auf Anfrage
Gesamtbestand:0 Stück
Herstellerkennzeichnung: SEMiX603GB12E4p
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96 + 156,121643 €188,907188 €
Trans IGBT Module N-CH 1200V 1.11KA

Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungSEMiX603GB12E4p 
KategorieIGBT Full Silicon 
Konfiguration:Half Bridge 1*(Phase Leg) 
Konstruktion:2*(IGBT+D) 
Anzahl der Schaltungen (im Gehäuse) 2 ks
Gehäusetyp:Modul 
Gehäuse [inch] :SEMiX-3p 
Art des Materials:Si-Silicon 
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:450 [g]
Verpackungstyp:BOX 
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):

Elektrophysikalische Parameter:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)1100 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)853 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
UF (maximum forward voltage)2.08 [VDC] ?

Testbedingungen:
Ta=25°C, IF=In/Imax

UCE (sat) (@25°C)1.8 [V]
tr (Turn-on / rise time)85 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)145 [ns]
Qg (Total Gate Charge)3450 [nC]
Cin (Input Capacitance)37500 [pF]

Thermische und mechanische Parameter:

Maße (L*W*H) [mm]:150x62x21 
Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-40 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)150 [°C]
Rth-c (Wärmewiderstand)0.025 [°C/W] ?

Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten


Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse

Rth-c - Folienoberfläche inch2

L - Länge 150 [mm]
W - Breite 62 [mm]
H - Höhe 21 [mm]

Alternativen und Ersätze

Alternative Produkte 1:FF600R12ME4 

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