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SEMiX453GB12E4p

IGBT 1200V

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SEMiX453GB12E4p Semikron
SEMiX453GB12E4p Semikron
SEMiX453GB12E4p Semikron
Stück
ID Code:171775
Hersteller:Semikron
Preis inkl. MwSt. : 454,854365 €
Preis ohne MwSt. : 375,912698 €
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:auf Anfrage
Gesamtbestand:0 Stück
Herstellerkennzeichnung: SEMiX453GB12E4p
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96 + 109,246032 €132,187699 €
IGBT 1200V

Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungSEMiX453GB12E4p 
KategorieIGBT Full Silicon 
Konfiguration:Half Bridge 1*(Phase Leg) 
Konstruktion:2*(IGBT+D) 
Anzahl der Schaltungen (im Gehäuse) 2 ks
Gehäusetyp:Modul 
Gehäuse [inch] :SEMiX-3p 
Art des Materials:Si-Silicon 
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:450 [g]
Verpackungstyp:BOX 
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):

Elektrophysikalische Parameter:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)678 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)521 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
UF (maximum forward voltage)2.14 [VDC] ?

Testbedingungen:
Ta=25°C, IF=In/Imax

UCE (sat) (@25°C)1.8 [V]
tr (Turn-on / rise time)60 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)115 [ns]
Qg (Total Gate Charge)2550 [nC]
Cin (Input Capacitance)27900 [pF]

Thermische und mechanische Parameter:

Maße (L*W*H) [mm]:150x62x21 
Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-40 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)150 [°C]
Rth-c (Wärmewiderstand)0.021 [°C/W] ?

Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten


Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse

Rth-c - Folienoberfläche inch2

L - Länge 150 [mm]
W - Breite 62 [mm]
H - Höhe 21 [mm]

Alternativen und Ersätze

Alternative Produkte 1:FF450R12ME4 

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