IGBT Module 1200V/1200A Single, Cu Base
Grundlegende Informationen:
Herstellerkennzeichnung | DIM1200FSS12-A000 |
Kategorie | IGBT Full Silicon |
Konfiguration: | single-E2*(T+D) |
Konstruktion: | 2*(IGBT+D) |
Anzahl der Schaltungen (im Gehäuse) | 2 ks |
Gehäusetyp: | Modul |
Gehäuse [inch] : | MODUL-F |
Art des Materials: | Si-Silicon |
Material Base | Cu+AL2O3 |
RoHS | Ja |
REACH | Nein |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Verpackung und Gewicht:
Einheit: | Stück |
Gewicht: | 1262 [g] |
Verpackungstyp: | BOX |
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten): | 2 |
Elektrophysikalische Parameter:
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 1200 [A] |
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) | 1200 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 2500 [V] |
UF (maximum forward voltage) | 1.9 [VDC] ?Testbedingungen: Ta=25°C, IF=In/Imax |
UCE (sat) (@25°C) | 2.2 [V] |
I2t (TC/TA=25°C) | 400000 [A2s] |
Pmax mit Kühler (TC=25°C) | 10400 [W] |
tr (Turn-on / rise time) | 200 [ns] |
tf/tq (Turn-off / fall time) | 180 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 1200 [nC] |
Cin (Input Capacitance) | 135000 [pF] |
Thermische und mechanische Parameter:
Maße (L*W*H) [mm]: | 130x140x38 |
Tmin (minimale Arbeitstemperatur) | -40 [°C] |
Tmax (maximale Arbeitstemperatur) | 125 [°C] |
Rth-c (Wärmewiderstand) | 0.012 [°C/W] ?Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten
Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse
Rth-c - Folienoberfläche inch2 |
L - Länge | 130 [mm] |
W - Breite | 140 [mm] |
H - Höhe | 38 [mm] |