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SK100GD126T

IGBT 1200V

Halbleiter - Transistoren - IGBT - Full Silicon
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SK100GD126T Semikron
SK100GD126T Semikron
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SK100GD126T_SK.pdf
Stück
ID Code:171386
Hersteller:Semikron
Preis inkl. MwSt. : 210,8864 €
Preis ohne MwSt. : 174,2863 €
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:auf Anfrage
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Herstellerkennzeichnung: SK100GD126T
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IGBT 1200V

Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungSK100GD126T 
Gehäusetyp:MODUL 
Gehäuse:!_semitop-4_! 
KategorieIGBT Full Silicon 
Konfiguration:Sixpack 
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKAA 

Elektrische Parameter:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V] ?

Udc - Definitionen für Komponenten

Udc = URRM - Diode

Udc = UDRM, URRM - Thyristor

Udc = UCEO - Transistoren

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)114 [A] ?

Strömen bei der niedrigsten Temperatur.
Die Angaben im Datenblatt.

Idc=IF (AV) - Diode

Idc=IT (AV) - Thyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Transistor: FET

 

 

Idc max (Tc/Ta=25°C)114 [A]
Idc max (Tc/Ta=70÷79°C)86 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
UF (maximum forward voltage)1.5 [VDC] ?

Testbedingungen:
Ta=25°C, IF=In/Imax

UCE (sat) (@25°C)1.7 [V]
tr (Turn-on / rise time)28 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)100 [ns]
fmax max.frequency (max./typ.)0.02 [MHz] ?

fmax - Definitionen für Komponenten

fmax = fT (BJT-transition frequency)

fmax = fmax (operation frequency)

Cin (Input Capacitance)7200 [pF]

Material, Farbe, Design:

Art des Materials:!_si-silicon_! 
Material BaseCeramic 

Thermische und mechanische Parameter:

Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-40 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)125 [°C]
Rth-c (Wärmewiderstand)0.4 [°C/W] ?

Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten

Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse

Rth-c - Folienoberfläche inch2

Abmessungen:

Abmessungen der Anschlüsse0.00 [mm]

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:60 [g]
VPE (Verpackung):6 

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