Trans IGBT Module N-CH 1700V 779A
ID Code: | 171269 |
Hersteller: | Semikron |
Preis inkl. MwSt. : | 893,287948 € |
Preis ohne MwSt. : | 738,254502 € |
MwSt.: | 21 % |
Verfügbarkeit: | auf Anfrage |
Gesamtbestand: | 0 Stück |
Herstellerkennzeichnung: | SEMiX854GB176HDs |
Zentrallager Zdice: | 0 Stück |
Einheit:: | Stück |
Übersicht über Mengenrabatte | Anzahl (Stück) | Preis ohne MwSt. | Preis inkl. MwSt. | |
1 + | 738,254502 € | 893,287947 € | ||
4 + | 276,865229 € | 335,006927 € | ||
24 + | 230,714427 € | 279,164457 € | ||
96 + | 214,565605 € | 259,624382 € |
Herstellerkennzeichnung | SEMiX854GB176HDs |
Kategorie | IGBT Full Silicon |
Konfiguration: | Half Bridge 1*(Phase Leg) |
Konstruktion: | 2*(IGBT+D) |
Anzahl der Schaltungen (im Gehäuse) | 2 ks |
Gehäusetyp: | Modul |
Gehäuse [inch] : | SEMiX-4s |
Art des Materials: | Si-Silicon |
RoHS | Ja |
REACH | Nein |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Einheit: | Stück |
Gewicht: | 480 [g] |
Verpackungstyp: | BOX |
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten): | 4 |
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 779 [A] |
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) | 549 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 4000 [V] |
UF (maximum forward voltage) | 1.7 [VDC] ? Testbedingungen: |
UCE (sat) (@25°C) | 2 [V] |
tr (Turn-on / rise time) | 80 [ns] |
tf/tq (Turn-off / fall time) | 155 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 5600 [nC] |
Cin (Input Capacitance) | 52800 [pF] |
Maße (L*W*H) [mm]: | 183x69x23 |
Tmin (minimale Arbeitstemperatur) | -40 [°C] |
Tmax (maximale Arbeitstemperatur) | 125 [°C] |
Rth-c (Wärmewiderstand) | 0.045 [°C/W] ? Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse Rth-c - Folienoberfläche inch2 |
L - Länge | 183 [mm] |
W - Breite | 69 [mm] |
H - Höhe | 23 [mm] |