IGBT 1200V
ID Code: | 166057 |
Hersteller: | Semikron |
Preis inkl. MwSt. : | 397,075401 € |
Preis ohne MwSt. : | 328,161488 € |
MwSt.: | 21 % |
Verfügbarkeit: | auf Anfrage |
Gesamtbestand: | 0 Stück |
Herstellerkennzeichnung: | SK100GD12T4T |
Einheit:: | Stück |
Übersicht über Mengenrabatte | Anzahl (Stück) | Preis ohne MwSt. | Preis inkl. MwSt. | |
1 + | 328,161488 € | 397,075400 € | ||
6 + | 106,669305 € | 129,069859 € | ||
60 + | 86,166634 € | 104,261627 € | ||
180 + | 77,933901 € | 94,300020 € |
Herstellerkennzeichnung | SK100GD12T4T |
Kategorie | IGBT Full Silicon |
Konfiguration: | Bridge 3f |
Konstruktion: | 6*(IGBT+D) |
Anzahl der Schaltungen (im Gehäuse) | 6 ks |
Gehäusetyp: | Modul |
Gehäuse [inch] : | SEMITOP-4 |
Art des Materials: | Si-Silicon |
Material Base | Ceramic |
RoHS | Ja |
REACH | Nein |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Einheit: | Stück |
Gewicht: | 19 [g] |
Verpackungstyp: | BOX |
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten): | 6 |
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 126 [A] |
Idc max (Tc/Ta=70÷79°C) | 100 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 2500 [V] |
UF (maximum forward voltage) | 2.25 [VDC] ? Testbedingungen: |
UCE (sat) (@25°C) | 1.85 [V] |
tr (Turn-on / rise time) | 65 [ns] |
tf/tq (Turn-off / fall time) | 80 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 750 [nC] |
Cin (Input Capacitance) | 5540 [pF] |
Tmin (minimale Arbeitstemperatur) | -40 [°C] |
Tmax (maximale Arbeitstemperatur) | 175 [°C] |
Rth-c (Wärmewiderstand) | 0.43 [°C/W] ? Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse Rth-c - Folienoberfläche inch2 |
L - Länge | 55 [mm] |
W - Breite | 60 [mm] |
H - Höhe | 15 [mm] |
Alternative Produkte 1: | FS-100R12KE3 |
Alternative Produkte 2: | SEMiX151GD12E4s |