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2N3055

NPN-Bipolartransistor

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2N3055 ON Semiconductor (Farchild)
2N3055 ON Semiconductor (Farchild)
2N3055 ON Semiconductor (Farchild)
Stück
ID Code:135917
Hersteller:ON Semiconductor (Farchild)
Preis inkl. MwSt. : 63,165778 €
Preis ohne MwSt. : 52,203122 €
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:auf Anfrage
Gesamtbestand:0 Stück
Herstellerkennzeichnung: 2N3055
Einheit:: Stück
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50 + 44,378581 €53,698083 €
NPN-Bipolartransistor

Grundlegende Informationen:

Herstellerkennzeichnung2N3055 
Art der Komponente:Transistor Bipolar NPN 
KategorieBipolar NPN 
Konfiguration:single (1T) 
Gehäusetyp:THT 
Gehäuse [inch] :TO- 3 
Art des Materials:Si-Silicon 
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:16.87 [g]
Verpackungstyp:TUBE 
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):100 

Elektrophysikalische Parameter:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)15 [A]
Pmax mit Kühler (TC=25°C)115 [W]
fmax max.frequency (max./typ.)2.5 [MHz] ?

fmax - Definitionen für Komponenten


fmax = fT (BJT-transition frequency)

fmax = fmax (operation frequency)

hFE current gain (max./typ.)20÷ 70 

Thermische und mechanische Parameter:

Maße (L*W*H) [mm]:TO- 3 
Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-65 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)200 [°C]
Rth-c (Wärmewiderstand)1.52 [°C/W] ?

Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten


Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse

Rth-c - Folienoberfläche inch2

RM - Anschlussraster11 [mm]
Anzahl der Stifte
L - Länge 39 [mm]
L1 - Länge 19.5 [mm]
W - Breite 25.5 [mm]
H - Höhe 8.52 [mm]
T - Dicke1.6 [mm]
Abmessungen der Anschlüsse1,05 [mm]
Lv - Anschlusslänge11 [mm]

Alternativen und Ersätze

Alternative 1:188094 - T2N3055 (CDI) 

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