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MJ11032G

NPN Darlington Bipolartransistor

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MJ11032G ON Semiconductor (Farchild)
MJ11032G ON Semiconductor (Farchild)
MJ11032G ON Semiconductor (Farchild)
Stück
ID Code:163385
Hersteller:ON Semiconductor (Farchild)
Preis inkl. MwSt. : 12,336692 €
Preis ohne MwSt. : 10,195614 €
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:auf Anfrage
Gesamtbestand:0 Stück
Herstellerkennzeichnung: MJ11032G
Einheit:: Stück
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20 + 8,267141 €10,003241 €
NPN Darlington Bipolartransistor

Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungMJ11032G 
Art der Komponente:Transistor Bipolar NPN 
KategorieBipolar NPN Darlington 
Konfiguration:single 1*(T+D) 
Gehäusetyp:THT 
Gehäuse [inch] :TO- 3 
Art des Materials:Si-Silicon 
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:16.87 [g]
Verpackungstyp:BOX 
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):20 

Elektrophysikalische Parameter:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)30 [A]
UCE (sat) (@25°C)2.5 [V]
Pmax mit Kühler (TC=25°C)300 [W]
hFE current gain (max./typ.)>18000 

Thermische und mechanische Parameter:

Maße (L*W*H) [mm]:TO- 3 
Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-55 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)200 [°C]
Rth-c (Wärmewiderstand)0.58 [°C/W] ?

Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten


Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse

Rth-c - Folienoberfläche inch2

RM - Anschlussraster11 [mm]
Anzahl der Stifte
L - Länge 39 [mm]
L1 - Länge 19.5 [mm]
W - Breite 25.5 [mm]
H - Höhe 8.52 [mm]
T - Dicke1.6 [mm]
Abmessungen der Anschlüsse1,05 [mm]
Lv - Anschlusslänge11 [mm]

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