NPN Darlington Bipolartransistor
Grundlegende Informationen:
Herstellerkennzeichnung | MJ11032G |
Art der Komponente: | Transistor Bipolar NPN |
Kategorie | Bipolar NPN Darlington |
Konfiguration: | single 1*(T+D) |
Gehäusetyp: | THT |
Gehäuse [inch] : | TO- 3 |
Art des Materials: | Si-Silicon |
RoHS | Ja |
REACH | Nein |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Verpackung und Gewicht:
Einheit: | Stück |
Gewicht: | 16.87 [g] |
Verpackungstyp: | BOX |
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten): | 20 |
Elektrophysikalische Parameter:
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 30 [A] |
UCE (sat) (@25°C) | 2.5 [V] |
Pmax mit Kühler (TC=25°C) | 300 [W] |
hFE current gain (max./typ.) | >18000 |
Thermische und mechanische Parameter:
Maße (L*W*H) [mm]: | TO- 3 |
Tmin (minimale Arbeitstemperatur) | -55 [°C] |
Tmax (maximale Arbeitstemperatur) | 200 [°C] |
Rth-c (Wärmewiderstand) | 0.58 [°C/W] ?Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten
Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse
Rth-c - Folienoberfläche inch2 |
RM - Anschlussraster | 11 [mm] |
Anzahl der Stifte | 3 |
L - Länge | 39 [mm] |
L1 - Länge | 19.5 [mm] |
W - Breite | 25.5 [mm] |
H - Höhe | 8.52 [mm] |
T - Dicke | 1.6 [mm] |
Abmessungen der Anschlüsse | 1,05 [mm] |
Lv - Anschlusslänge | 11 [mm] |