Trans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 450000mW 4-Pin SOT-227B
Grundlegende Informationen:
Herstellerkennzeichnung | IXDN55N120D1 |
Kategorie | IGBT Full Silicon |
Konfiguration: | single 1*(T+D) |
Konstruktion: | 1*(IGBT+D) |
Anzahl der Schaltungen (im Gehäuse) | 1 ks |
Gehäusetyp: | Modul |
Gehäuse [inch] : | SOT-227 |
Art des Materials: | Si-Silicon |
RoHS | Ja |
REACH | Nein |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Verpackung und Gewicht:
Einheit: | Stück |
Gewicht: | 36 [g] |
Verpackungstyp: | TUBE |
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten): | 10 |
Elektrophysikalische Parameter:
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 100 [A] |
Idc max (Tc/Ta=90÷99°C) | 62 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 2500 [V] |
UF (maximum forward voltage) | 2.4 [VDC] ?Testbedingungen: Ta=25°C, IF=In/Imax |
UCE (sat) (@25°C) | 2.3 [V] |
Pmax mit Kühler (TC=25°C) | 700 [W] |
trr Wiederherstellungszeit (If=Inom.,@25°C) | 200 [ns] |
tr (Turn-on / rise time) | 70 [ns] |
tf/tq (Turn-off / fall time) | 70 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 600 [nC] |
Cin (Input Capacitance) | 3300 [pF] |
Thermische und mechanische Parameter:
Maße (L*W*H) [mm]: | 38.1*25.3*12.0 |
Tmin (minimale Arbeitstemperatur) | -40 [°C] |
Tmax (maximale Arbeitstemperatur) | 150 [°C] |
Rth-c (Wärmewiderstand) | 0.28 [°C/W] ?Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten
Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse
Rth-c - Folienoberfläche inch2 |
RM - Anschlussraster | 15 [mm] |
RM1 - Abstand der Reihen | 12.7 [mm] |
D - Ø (Außendurchmesser) | 4.1 [mm] |
L - Länge | 38.1 [mm] |
W - Breite | 25.3 [mm] |
H - Höhe | 12 [mm] |
Alternativen und Ersätze
Alternative 1: | 193839 - SG55N120DS (SRF) |