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QM200HA-2H

NPN Darlington Bipolartransistor

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QM200HA-2H Mitsubishi
QM200HA-2H Mitsubishi
Stück
ID Code:161392
Hersteller:Mitsubishi
Preis inkl. MwSt. : 209,006520 €
Preis ohne MwSt. : 172,732662 €
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:auf Anfrage
Gesamtbestand:0 Stück
Herstellerkennzeichnung: QM200HA-2H
Zentrallager Zdice: 0 Stück
Vorlaufzeit ab Werk: Obsolete
Einheit:: Stück
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Anzahl (Stück)Preis ohne MwSt.Preis inkl. MwSt.
1 + 172,732662 €209,006521 €
3 + 168,662320 €204,081407 €
5 + 166,607390 €201,594942 €
10 + 164,591978 €199,156293 €
NPN Darlington Bipolartransistor

Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungQM200HA-2H 
Vorlaufzeit ab WerkObsolete [wk]
Art der Komponente:Transistor Bipolar NPN 
KategorieBipolar NPN Darlington 
Konfiguration:single 1*(T+D) 
Gehäusetyp:Modul 
Art des Materials:Si-Silicon 
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:462 [g]
Verpackungstyp:TUBE 
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):

Elektrophysikalische Parameter:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)200 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
UCE (sat) (@25°C)2.5 [V]
Pmax mit Kühler (TC=25°C)1560 [W]
hFE current gain (max./typ.)75÷ 

Thermische und mechanische Parameter:

Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-40 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)150 [°C]
Rth-c (Wärmewiderstand)0.08 [°C/W] ?

Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten


Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse

Rth-c - Folienoberfläche inch2

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