ID Code: | 128921 |
Hersteller: | ST Microelectronics |
Preis inkl. MwSt. : | 39,400909 € |
Preis ohne MwSt. : | 32,562735 € |
MwSt.: | 21 % |
Verfügbarkeit: | auf Anfrage |
Gesamtbestand: | 0 Stück |
Herstellerkennzeichnung: | STPS200170TV1 |
Einheit:: | Stück |
Übersicht über Mengenrabatte | Anzahl (Stück) | Preis ohne MwSt. | Preis inkl. MwSt. | |
1 + | 32,562735 € | 39,400909 € | ||
3 + | 32,049002 € | 38,779292 € | ||
5 + | 31,495752 € | 38,109860 € | ||
10 + | 31,140091 € | 37,679510 € |
Herstellerkennzeichnung | STPS200170TV1 |
Art der Komponente: | Diode Schottky Silicon |
Kategorie | Diode Schottky Modul |
Konfiguration: | single (2D) |
Anzahl der Schaltungen (im Gehäuse) | 2 ks |
Gehäusetyp: | Modul |
Gehäuse [inch] : | SOT-227 |
Art des Materials: | Si-Silicon |
RoHS | Ja |
REACH | Nein |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Einheit: | Stück |
Gewicht: | 36 [g] |
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten): | 10 |
If (AV) per pkg. | 200 [A] |
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 100 [A] |
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C) | 100 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 2500 [V] |
UF (maximum forward voltage) | 0.83 [VDC] ? Testbedingungen: |
IR (Rückstrom) | 200 [µA] |
du/dt (critical rate of rise of on-state voltage) | 999999 [V/µs] |
Maße (L*W*H) [mm]: | 38.1*25.3*12.0 |
Tmin (minimale Arbeitstemperatur) | -55 [°C] |
Tmax (maximale Arbeitstemperatur) | 150 [°C] |
Rth-c (Wärmewiderstand) | 0.31 [°C/W] ? Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse Rth-c - Folienoberfläche inch2 |
RM - Anschlussraster | 15 [mm] |
RM1 - Abstand der Reihen | 12.7 [mm] |
D - Ø (Außendurchmesser) | 4.1 [mm] |
L - Länge | 38.1 [mm] |
W - Breite | 25.3 [mm] |
H - Höhe | 12 [mm] |
I+case 25,4x 38,2_F05-AL2 Thermally Conductive Pad for insulated Packages SOT-227, ISOTOP and in size 25,4x38,1 mm ID: 181709 Hersteller-Nr.: F05-AL2_25,4x38,2mm_SOT227Uni
| Gesamtbestand: 7491 Hersteller: SEMIC EU |