IGBT 1200V
ID Code: | 155735 |
Hersteller: | Semikron |
Preis: | auf Anfrage |
MwSt.: | 21 % |
Verfügbarkeit: | auf Anfrage |
Gesamtbestand: | 0 Stück |
Herstellerkennzeichnung: | SEMiX603GB12Vs |
Einheit:: | Stück |
Übersicht über Mengenrabatte | Anzahl (Stück) | Preis ohne MwSt. | Preis inkl. MwSt. |
Herstellerkennzeichnung | SEMiX603GB12Vs |
Kategorie | IGBT Full Silicon |
Konfiguration: | Half Bridge 1*(Phase Leg) |
Konstruktion: | 2*(IGBT+D) |
Anzahl der Schaltungen (im Gehäuse) | 2 ks |
Gehäusetyp: | Modul |
Gehäuse [inch] : | SEMiX-3s |
Art des Materials: | Si-Silicon |
RoHS | Ja |
REACH | Nein |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Einheit: | Stück |
Gewicht: | 380 [g] |
Verpackungstyp: | BOX |
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten): | 6 |
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 800 [A] |
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) | 609 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 4000 [V] |
UF (maximum forward voltage) | 2.4 [VDC] ? Testbedingungen: |
UCE (sat) (@25°C) | 1.85 [V] |
tr (Turn-on / rise time) | 92 [ns] |
tf/tq (Turn-off / fall time) | 75 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 6600 [nC] |
Cin (Input Capacitance) | 36000 [pF] |
Maße (L*W*H) [mm]: | 150x64x23 |
Tmin (minimale Arbeitstemperatur) | -40 [°C] |
Tmax (maximale Arbeitstemperatur) | 125 [°C] |
Rth-c (Wärmewiderstand) | 0.057 [°C/W] ? Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse Rth-c - Folienoberfläche inch2 |
L - Länge | 150 [mm] |
W - Breite | 64 [mm] |
H - Höhe | 23 [mm] |
I+case 63,5x126_F05-AL2 Thermally Conductive Pad for insulated Packages as SEMiX-13/ 3s in size 63,5x126 mm ID: 176036 Hersteller-Nr.: F05-AL2-63,5x126mm_SEMiX13 | auf Anfrage Hersteller: SEMIC EU |