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SEMiX603GB12Vs

IGBT 1200V

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SEMiX603GB12Vs Semikron
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ID Code:155735
Hersteller:Semikron
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Herstellerkennzeichnung: SEMiX603GB12Vs
Einheit:: Stück
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Anzahl (Stück)Preis ohne MwSt.Preis inkl. MwSt.
IGBT 1200V

Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungSEMiX603GB12Vs 
KategorieIGBT Full Silicon 
Konfiguration:Half Bridge 1*(Phase Leg) 
Konstruktion:2*(IGBT+D) 
Anzahl der Schaltungen (im Gehäuse) 2 ks
Gehäusetyp:Modul 
Gehäuse [inch] :SEMiX-3s 
Art des Materials:Si-Silicon 
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:380 [g]
Verpackungstyp:BOX 
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):

Elektrophysikalische Parameter:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)800 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)609 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
UF (maximum forward voltage)2.4 [VDC] ?

Testbedingungen:
Ta=25°C, IF=In/Imax

UCE (sat) (@25°C)1.85 [V]
tr (Turn-on / rise time)92 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)75 [ns]
Qg (Total Gate Charge)6600 [nC]
Cin (Input Capacitance)36000 [pF]

Thermische und mechanische Parameter:

Maße (L*W*H) [mm]:150x64x23 
Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-40 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)125 [°C]
Rth-c (Wärmewiderstand)0.057 [°C/W] ?

Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten


Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse

Rth-c - Folienoberfläche inch2

L - Länge 150 [mm]
W - Breite 64 [mm]
H - Höhe 23 [mm]

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ID: 176036   Hersteller-Nr.: F05-AL2-63,5x126mm_SEMiX13  
auf Anfrage
Hersteller: SEMIC EU  
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