Dioda Schottky Si Axial SBX2540-3G 3rd Gen low Ir, D5.4x7.5 low Rth case
ID Code: | 147759 |
Hersteller: | Diotec |
Preis inkl. MwSt. : | 0,900376 € |
Preis ohne MwSt. : | 0,744112 € |
MwSt.: | 21 % |
Verfügbarkeit: | Auf Lager |
Gesamtbestand: | 1210 Stück |
Herstellerkennzeichnung: | SBX2540-3G |
Zentrallager Zdice: | 1210 Stück |
Einheit:: | Stück |
Übersicht über Mengenrabatte | Anzahl (Stück) | Preis ohne MwSt. | Preis inkl. MwSt. | |
3 + | 0,744112 € | 0,900376 € | ||
25 + | 0,364140 € | 0,440609 € | ||
100 + | 0,304769 € | 0,368770 € | ||
500 + | 0,274688 € | 0,332372 € |
Herstellerkennzeichnung | SBX2540-3G |
Art der Komponente: | Diode Schottky Silicon |
Kategorie | Diode Schottky Axial |
Konfiguration: | single (1D) |
Anzahl der Schaltungen (im Gehäuse) | 1 ks |
Gehäusetyp: | THT |
Gehäuse [inch] : | D-8.0x7.5 |
Art des Materials: | Si-Silicon |
RoHS | Ja |
REACH | Nein |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Einheit: | Stück |
Gewicht: | 2.06 [g] |
Verpackungstyp: | AMMO |
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten): | 1250 |
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 25 [A] |
Idc max (Tc/Ta=50÷59°C) | 25 [A] |
UF (maximum forward voltage) | 0.57 [VDC] ? Testbedingungen: |
IR (Rückstrom) | 200 [µA] |
du/dt (critical rate of rise of on-state voltage) | 999999 [V/µs] |
I2t (TC/TA=25°C) | 420 [A2s] |
Maße (L*W*H) [mm]: | D=8.00x7.50 |
Tmin (minimale Arbeitstemperatur) | -50 [°C] |
Tmax (maximale Arbeitstemperatur) | 150 [°C] |
Rth-c (Wärmewiderstand) | 10 [°C/W] ? Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse Rth-c - Folienoberfläche inch2 |
Anzahl der Stifte | 2 |
D - Ø (Außendurchmesser) | 8 [mm] |
L - Länge | 7.5 [mm] |
Abmessungen der Anschlüsse | d=1,20 [mm] |
Lv - Anschlusslänge | 27.5 [mm] |