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QM 30DY-H

NPN Darlington Bipolartransistor

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QM 30DY-H Mitsubishi
QM 30DY-H Mitsubishi
Stück
ID Code:136909
Hersteller:Mitsubishi
Preis inkl. MwSt. : 168,597305 €
Preis ohne MwSt. : 139,336615 €
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:auf Anfrage
Gesamtbestand:0 Stück
Herstellerkennzeichnung: QM30DY-H
Vorlaufzeit ab Werk: Obsolete
Einheit:: Stück
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8 + 111,453495 €134,858729 €
16 + 107,977978 €130,653353 €
NPN Darlington Bipolartransistor

Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungQM30DY-H 
Vorlaufzeit ab WerkObsolete [wk]
Art der Komponente:Transistor Bipolar NPN 
KategorieBipolar NPN Darlington 
Konfiguration:Half Bridge 
Gehäusetyp:Modul 
Art des Materials:Si-Silicon 
RoHSNein 
REACHNein 
NOVINKA

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:237.6 [g]
Verpackungstyp:BOX 
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):

Elektrophysikalische Parameter:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)30 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
UCE (sat) (@25°C)2.5 [V]
Pmax mit Kühler (TC=25°C)250 [W]
trr Wiederherstellungszeit (If=Inom.,@25°C)3000 [ns]
hFE current gain (max./typ.)75÷ 

Thermische und mechanische Parameter:

Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-40 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)150 [°C]
Rth-c (Wärmewiderstand)0.015 [°C/W] ?

Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten


Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse

Rth-c - Folienoberfläche inch2

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