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FZ1500R33HE3

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FZ1500R33HE3 Infineon Technologies
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ID Code:158515
Hersteller:Infineon Technologies
Preis: auf Anfrage
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:auf Anfrage
Gesamtbestand:0 Stück
Herstellerkennzeichnung: FZ1500R33HE3
Einheit:: Stück
Übersicht über Mengenrabatte
Anzahl (Stück)Preis ohne MwSt.Preis inkl. MwSt.


Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungFZ1500R33HE3 
KategorieIGBT Full Silicon 
Konfiguration:single-E3*(T+D) 
Konstruktion:3*(IGBT+D) 
Anzahl der Schaltungen (im Gehäuse) 3 ks
Gehäusetyp:Modul 
Gehäuse [inch] :MODUL-E 
Art des Materials:Si-Silicon 
Material BaseALSiC 
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:1900 [g]
Verpackungstyp:BOX 
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):10 

Elektrophysikalische Parameter:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)1500 [A]
Idc max (Tc/Ta=90÷99°C)1500 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)6000 [V]
UF (maximum forward voltage)3.1 [VDC] ?

Testbedingungen:
Ta=25°C, IF=In/Imax

UCE (sat) (@25°C)2.55 [V]
Pmax mit Kühler (TC=25°C)14500 [W]
tr (Turn-on / rise time)550 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)300 [ns]
Qg (Total Gate Charge)42000 [nC]
Cin (Input Capacitance)280000 [pF]

Thermische und mechanische Parameter:

Maße (L*W*H) [mm]:190x140x38 
Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-40 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)125 [°C]
Rth-c (Wärmewiderstand)0.009 [°C/W] ?

Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten


Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse

Rth-c - Folienoberfläche inch2

L - Länge 190 [mm]
W - Breite 140 [mm]
H - Höhe 38 [mm]

Alternativen und Ersätze

Alternative Produkte 1:DIM1500ESM33-TL000 

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