Wählen Sie einen Lieferort aus   Sprache:    Währung:    
Sie haben keine Ware in Ihrem Warenkorb

FS75R12KE3

IGBT 1200V

Bildchen:
Zum Vergrößern anklicken
FS75R12KE3 Infineon Technologies
Nicht mehr auf Lager
ID Code:158567
Hersteller:Infineon Technologies
Preis: auf Anfrage
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:auf Anfrage
Gesamtbestand:0 Stück
Herstellerkennzeichnung: FS75R12KE3
Einheit:: Stück
Übersicht über Mengenrabatte
Anzahl (Stück)Preis ohne MwSt.Preis inkl. MwSt.
IGBT 1200V

Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungFS75R12KE3 
KategorieIGBT Full Silicon 
Konfiguration:Bridge 3f 
Konstruktion:6*(IGBT+D) 
Anzahl der Schaltungen (im Gehäuse) 6 ks
Gehäusetyp:Modul 
Art des Materials:Si-Silicon 
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:198.66 [g]
Verpackungstyp:BOX 
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):

Elektrophysikalische Parameter:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)105 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)75 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
UF (maximum forward voltage)1.65 [VDC] ?

Testbedingungen:
Ta=25°C, IF=In/Imax

UCE (sat) (@25°C)1.7 [V]
I2t (TC/TA=25°C)1200 [A2s]
Pmax mit Kühler (TC=25°C)350 [W]
tr (Turn-on / rise time)30 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)65 [ns]
Qg (Total Gate Charge)700 [nC]
Cin (Input Capacitance)5300 [pF]

Thermische und mechanische Parameter:

Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-40 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)125 [°C]
Rth-c (Wärmewiderstand)0.35 [°C/W] ?

Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten


Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse

Rth-c - Folienoberfläche inch2

!_potrebujete poradit ?_! FS75R12KE3 Infineon Technologies

Ihr Name, Nachname, Firma
Ihre E-Mail
Ihre Telefonnummer
Ihre Anfrage
     Weitere Informationen




An einen Freund senden

Ihr Name
Ihre E-Mail
e-mail Ihres Freundes
Bitte schreiben Sie Code aus dem Bild antispam

Helfen Sie bei der Erbringung von Dienstleistungen uns Cookies. Mithilfe unserer Dienstleistungen Stimmen Sie unserer Verwendung von Cookies.   Weitere Informationen