Trans IGBT Module N-CH 1200V 180A 960000mW 26-Pin ECONO3-4 Tray
Grundlegende Informationen:
Herstellerkennzeichnung | F4-150R12KS4 |
Kategorie | IGBT Full Silicon |
Konfiguration: | Bridge 1f |
Konstruktion: | 4*(IGBT+D) |
Anzahl der Schaltungen (im Gehäuse) | 4 ks |
Gehäusetyp: | Modul |
Art des Materials: | Si-Silicon |
Material Base | Cu |
RoHS | Ja |
REACH | Nein |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Verpackung und Gewicht:
Einheit: | Stück |
Gewicht: | 331.1 [g] |
Verpackungstyp: | BOX |
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten): | 10 |
Elektrophysikalische Parameter:
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 180 [A] |
Idc max (Tc/Ta=60÷69°C) | 150 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 2500 [V] |
UF (maximum forward voltage) | 2.85 [VDC] ?Testbedingungen: Ta=25°C, IF=In/Imax |
UCE (sat) (@25°C) | 3.2 [V] |
I2t (TC/TA=25°C) | 4300 [A2s] |
Pmax mit Kühler (TC=25°C) | 960 [W] |
tr (Turn-on / rise time) | 50 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 1600 [nC] |
Thermische und mechanische Parameter:
Tmin (minimale Arbeitstemperatur) | -40 [°C] |
Tmax (maximale Arbeitstemperatur) | 125 [°C] |
Rth-c (Wärmewiderstand) | 0.13 [°C/W] ?Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten
Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse
Rth-c - Folienoberfläche inch2 |