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BUV60

NPN-Bipolartransistor

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BUV60 ST Microelectronics
BUV60 ST Microelectronics
BUV60 ST Microelectronics
Stück
ID Code:140732
Hersteller:ST Microelectronics
Preis inkl. MwSt. : 0,812883 €
Preis ohne MwSt. : 0,671804 €
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:auf Anfrage
Gesamtbestand:0 Stück
Herstellerkennzeichnung: BUV60
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10 + 0,640190 €0,774630 €
NPN-Bipolartransistor

Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungBUV60 
Art der Komponente:Transistor Bipolar NPN 
KategorieBipolar NPN 
Konfiguration:single (1T) 
Gehäusetyp:THT 
Gehäuse [inch] :TO- 3 
Art des Materials:Si-Silicon 
RoHSNein 
REACHNein 
NOVINKA

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:16.87 [g]
Verpackungstyp:BOX 
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):

Elektrophysikalische Parameter:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)50 [A]
Pmax mit Kühler (TC=25°C)250 [W]
fmax max.frequency (max./typ.)[MHz] ?

fmax - Definitionen für Komponenten


fmax = fT (BJT-transition frequency)

fmax = fmax (operation frequency)

Thermische und mechanische Parameter:

Maße (L*W*H) [mm]:TO- 3 
Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-65 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)200 [°C]
Rth-c (Wärmewiderstand)0.7 [°C/W] ?

Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten


Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse

Rth-c - Folienoberfläche inch2

RM - Anschlussraster11 [mm]
Anzahl der Stifte
L - Länge 39 [mm]
L1 - Länge 19.5 [mm]
W - Breite 25.5 [mm]
H - Höhe 8.52 [mm]
T - Dicke1.6 [mm]
Abmessungen der Anschlüsse1,05 [mm]
Lv - Anschlusslänge11 [mm]

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