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BSS123LT1G

Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R

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BSS123LT1G ON Semiconductor (Farchild)
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BSS123LT1G ON Semiconductor (Farchild)
Stück
ID Code:132930
Hersteller:ON Semiconductor (Farchild)
Preis inkl. MwSt. : 0,081240 €
Preis ohne MwSt. : 0,067141 €
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:Auf Lager
Gesamtbestand:3000 Stück
Herstellerkennzeichnung: BSS123LT1G
Zentrallager Zdice: 3000 Stück
Einheit:: Stück
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10 + 0,067141 €0,081241 €
100 + 0,059242 €0,071683 €
300 + 0,055292 €0,066903 €
1000 + 0,050158 €0,060691 €
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R

Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungBSS123LT1G 
Art der Komponente:FET Tranzistor 
KategorieFET N-Channel 
Konfiguration:Single 1*(T-BD) 
Spezifikationen:Enhancement Mode 
Konstruktion:1*FET-BD 
Anzahl der Schaltungen (im Gehäuse) 1 ks
Gehäusetyp:SMD 
Gehäuse [inch] :SOT- 23/3 
Art des Materials:Si-Silicon 
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:0.03 [g]
Verpackungstyp:K18A 
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):3000 

Elektrophysikalische Parameter:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 100 [V] ?

Udc - Definitionen für Komponenten


Udc = URRM - Diode

Udc = UDRM, URRM - Thyristor

Udc = UCEO - Transistoren

Udc = Umax -

Pmax ohne Kühler ( TA=25°C)0.22 [W]
Input Logic Level (UGS level)10V 
RDS (on) 10V (UGS=10÷15V)5000 [mΩ]
Cin (Input Capacitance)20 [pF]

Thermische und mechanische Parameter:

Maße (L*W*H) [mm]:SOT-23/3 
Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-55 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)150 [°C]
Rth-a (Wärmewiderstand)556 [°C/W] ?

Rth-a - Definition für die verschiedene Komponenten


Rth-a = Rthja für das gesamte Gehäuse

Rth-a - Kühler Länge L=100mm

Rth-a - Kühler /pc

RM - Anschlussraster0.95 [mm]
Anzahl der Stifte
L - Länge 2.9 [mm]
W - Breite 1.3 [mm]
H - Höhe [mm]
Abmessungen der Anschlüsse0,5 [mm]
Lv - Anschlusslänge0.54 [mm]

Alternativen und Ersätze

Alternative 1:232378 - BSS123-7-F (DDI) 
Alternative 2:132775 - BSS123NH6327XTSA1 (INF) 
Alternative 3:186753 - MMFTN123 (DIO) 

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