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BC850C

NPN-Bipolartransistor

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BC850C Diotec
BC850C Diotec
BC850C Diotec
Stück
ID Code:137678
Hersteller:Diotec
Preis inkl. MwSt. : 0,028810 €
Preis ohne MwSt. : 0,023810 €
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:auf Anfrage
Gesamtbestand:0 Stück
Herstellerkennzeichnung: BC850C
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1000 + 0,009476 €0,011466 €
NPN-Bipolartransistor

Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungBC850C 
Art der Komponente:Transistor Bipolar NPN 
KategorieBipolar NPN 
Konfiguration:single (1T) 
Gehäusetyp:SMD 
Gehäuse [inch] :SOT- 23/3 
Art des Materials:Si-Silicon 
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:0.01 [g]
Verpackungstyp:K18A 
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):3000 

Elektrophysikalische Parameter:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)0.1 [A]
Pmax ohne Kühler ( TA=25°C)0.25 [W]
fmax max.frequency (max./typ.)300 [MHz] ?

fmax - Definitionen für Komponenten


fmax = fT (BJT-transition frequency)

fmax = fmax (operation frequency)

hFE current gain (max./typ.)420÷800 

Thermische und mechanische Parameter:

Maße (L*W*H) [mm]:SOT-23/3 
Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-55 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)150 [°C]
Rth-a (Wärmewiderstand)420 [°C/W] ?

Rth-a - Definition für die verschiedene Komponenten


Rth-a = Rthja für das gesamte Gehäuse

Rth-a - Kühler Länge L=100mm

Rth-a - Kühler /pc

RM - Anschlussraster0.95 [mm]
Anzahl der Stifte
L - Länge 2.9 [mm]
W - Breite 1.3 [mm]
H - Höhe [mm]
Abmessungen der Anschlüsse0,5 [mm]
Lv - Anschlusslänge0.54 [mm]

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