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BC635

NPN-Bipolartransistor

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BC635 ON Semiconductor (Farchild)
BC635 ON Semiconductor (Farchild)
BC635 ON Semiconductor (Farchild)
Stück
ID Code:140711
Hersteller:ON Semiconductor (Farchild)
Preis inkl. MwSt. : 0,205612 €
Preis ohne MwSt. : 0,169927 €
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:Auf Lager
Gesamtbestand:1274 Stück
Herstellerkennzeichnung: BC635
Zentrallager Zdice: 1274 Stück
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400 + 0,124481 €0,150622 €
NPN-Bipolartransistor

Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungBC635 
Art der Komponente:Transistor Bipolar NPN 
KategorieBipolar NPN 
Konfiguration:single (1T) 
Gehäusetyp:THT 
Gehäuse [inch] :TO- 92/3-W 
Art des Materials:Si-Silicon 
RoHSNein 
REACHNein 
NOVINKA

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:0.37 [g]
Verpackungstyp:AMMO 
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):2000 

Elektrophysikalische Parameter:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)[A]
Pmax ohne Kühler ( TA=25°C)0.83 [W]
fmax max.frequency (max./typ.)200 [MHz] ?

fmax - Definitionen für Komponenten


fmax = fT (BJT-transition frequency)

fmax = fmax (operation frequency)

hFE current gain (max./typ.)40÷250 

Thermische und mechanische Parameter:

Maße (L*W*H) [mm]:TO- 92 
Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-55 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)150 [°C]
Rth-c (Wärmewiderstand)83.3 [°C/W] ?

Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten


Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse

Rth-c - Folienoberfläche inch2

Rth-a (Wärmewiderstand)200 [°C/W] ?

Rth-a - Definition für die verschiedene Komponenten


Rth-a = Rthja für das gesamte Gehäuse

Rth-a - Kühler Länge L=100mm

Rth-a - Kühler /pc

RM - Anschlussraster5.08 [mm]
RM1 - Abstand der Reihen 2.54 [mm]
Anzahl der Stifte
L - Länge 3.9 [mm]
W - Breite 4.6 [mm]
H - Höhe 5.1 [mm]
Abmessungen der Anschlüsse0,44x0,41 [mm]
Lv - Anschlusslänge13.7 [mm]

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