Bridge Rectifier Diode Module 1600V 104A/84°C ,
Grundlegende Informationen:
Herstellerkennzeichnung | DDB6U85N16L |
Ausführung: | Screw terminal |
Art der Komponente: | Bridge 3f Uncontrolled |
Kategorie | Bridge Standard Si |
Konfiguration: | Bridge 3f |
Gehäusetyp: | Modul |
Gehäuse [inch] : | 160MT_IR |
Art des Materials: | Si-Silicon |
RoHS | Ja |
REACH | Nein |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Verpackung und Gewicht:
Einheit: | Stück |
Gewicht: | 359 [g] |
Verpackungstyp: | BOX |
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten): | 4 |
Elektrophysikalische Parameter:
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 205 [A] |
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C) | 205 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 3000 [V] |
UF (maximum forward voltage) | 1.47 [VDC] ?Testbedingungen: Ta=25°C, IF=In/Imax |
I2t (TC/TA=25°C) | 2200 [A2s] |
Thermische und mechanische Parameter:
Tmin (minimale Arbeitstemperatur) | -40 [°C] |
Tmax (maximale Arbeitstemperatur) | 150 [°C] |
Rth-c (Wärmewiderstand) | 0.2 [°C/W] ?Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten
Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse
Rth-c - Folienoberfläche inch2 |
Alternativen und Ersätze
Alternative 1: | 131034 - 160MT160KB (VIS) |
Alternative 2: | 132195 - SKD 82/16 (SMK) |