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DCR 820N65

Phase Control Thyristor 6500V/820A ,

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DCR 820N65 Dynex Semiconductor
DCR 820N65 Dynex Semiconductor
Stück
ID Code:180712
Hersteller:Dynex Semiconductor
Preis inkl. MwSt. : 412,6562 €
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MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:auf Anfrage
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Herstellerkennzeichnung: DCR820N65
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Phase Control Thyristor 6500V/820A ,

Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungDCR820N65 
Gehäusetyp:PUK 
Gehäuse:!_puk 73/47x35t_! 
KategorieThyristor Standard Disc 
Art der Komponente:!_thyristor pct_! 
Konfiguration:1xThyristor 
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKA

Elektrische Parameter:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 6500 [V] ?

Udc - Definitionen für Komponenten


Udc = URRM - Diode

Udc = UDRM, URRM - Thyristor

Udc = UCEO - Transistoren

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)820 [A] ?

Strömen bei der niedrigsten Temperatur.
Die Angaben im Datenblatt.


Idc=IF (AV) - Diode

Idc=IT (AV) - Thyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Transistor: FET

 

 

Idc max (Tc/Ta=60÷69°C)820 [A]
du/dt (critical rate of rise of on-state voltage)1500 [V/µs]
di/dt (critical rate of rise of on-state current)200 [A/µs]
I2t (TC/TA=25°C)720 [1000*A2s]
tf/tq (Turn-off / fall time)1000000 [ns]

Material, Farbe, Design:

Art des Materials:!_si-silicon_! 

Thermische und mechanische Parameter:

Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-40 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)125 [°C]
Rth-c (Wärmewiderstand)0.022 [°C/W] ?

Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten


Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse

Rth-c - Folienoberfläche inch2

Fmin:20000 [N]
Fmax:25000 [N]

Abmessungen:

Abmessungen der Anschlüsse0.00 [mm]

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:1100 [g]
VPE (Verpackung):

Alternativen und Ersätze

Alternative Produkte 1:5STP 08G6500 
Alternative Produkte 2:N0845NG650 
Alternative Produkte 3:DCR820N56 

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auf Anfrage
Hersteller: PADA engineering  
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