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DAMI560N100

N-channel MOSFET 100V / 560A

Halbleiter - Transistoren - FET - N - Kanal
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DAMI560N100 Daco Semiconductor
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N-channel MOSFET 100V / 560A

Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungDAMI560N100 
Gehäusetyp:MODUL 
Gehäuse:SOT-227 
KategorieFET N-Channel 
Art der Komponente:!_n_fet 1x single_! 
Konfiguration:single Transistor 
Art des Materials:!_si-silicon_! 
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKAA 
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:30 [g]
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):10 

Elektrophysikalische Parameter:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 100 [V] ?

Udc - Definitionen für Komponenten

Udc = URRM - Diode

Udc = UDRM, URRM - Thyristor

Udc = UCEO - Transistoren

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)560 [A] ?

Strömen bei der niedrigsten Temperatur.
Die Angaben im Datenblatt.

Idc=IF (AV) - Diode

Idc=IT (AV) - Thyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Transistor: FET

 

 

Idc max (Tc/Ta=25°C)560 [A]
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C)445 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
UF (maximum forward voltage)0.9 [VDC] ?

Testbedingungen:
Ta=25°C, IF=In/Imax

Pmax mit Kühler (TC=25°C)890 [W]
Input Logic Level (UGS level)20V 
RDS (on) 10V (UGS=10÷15V)1.1 [mΩ]
trr Wiederherstellungszeit (If=Inom.,@25°C)380 [ns]
tr (Turn-on / rise time)260 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)76 [ns]
Qg (Total Gate Charge)449 [nC]
Cin (Input Capacitance)62520 [pF]

Thermische und mechanische Parameter:

Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-50 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)150 [°C]
Rth-c (Wärmewiderstand)0.1 [°C/W] ?

Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten

Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse

Rth-c - Folienoberfläche inch2

Abmessungen der Anschlüsse0.00 [mm]

Alternativen und Ersätze

Alternative 1:182243 - IXFN420N10T (IXY) 
Alternative 2:178030 - DAMI500N60 (DAC) 
Alternative Produkte 1:IXFN420N10T 
Alternative Produkte 2:IXFN520N075T2 

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ID: 181709   Hersteller-Nr.: F05-AL2-25,4x38,2mm-Uni  
Menge [Stück]1+10+50+100+
EUR/Stück0,66410,62720,59030,5165
Gesamtbestand: 2724
Hersteller: -  
RoHS
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