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DACMH 40N1200

Full SiC MOSFET 1200V / 25A Half Bridge

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DACMH 40N1200 Daco Semiconductor
DACMH 40N1200 Daco Semiconductor
Stück
ID Code:185428
Hersteller:Daco Semiconductor
Preis inkl. MwSt. : 176,6006 €
Preis ohne MwSt. : 145,9509 €
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:auf Anfrage
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Herstellerkennzeichnung: DACMH40N1200
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Full SiC MOSFET 1200V / 25A Half Bridge

Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungDACMH40N1200 
Gehäusetyp:MODUL 
Gehäuse:SEMITRANS-2s 
KategorieFull SiC (MOS) 
Art der Komponente:!_n-mosfet_! 
Konfiguration:Half Bridge 
Art des Materials:!_sic full_! 
Material BaseCu+AL2O3 
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:200 [g]
Verpackungstyp:BOX 
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):12 

Elektrophysikalische Parameter:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V] ?

Udc - Definitionen für Komponenten


Udc = URRM - Diode

Udc = UDRM, URRM - Thyristor

Udc = UCEO - Transistoren

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)40 [A] ?

Strömen bei der niedrigsten Temperatur.
Die Angaben im Datenblatt.


Idc=IF (AV) - Diode

Idc=IT (AV) - Thyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Transistor: FET

 

 

Idc max (Tc/Ta=25°C)40 [A]
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C)25 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)3000 [V]
Pmax mit Kühler (TC=25°C)208 [W]
Input Logic Level (UGS level)20V 
RDS (on) 10V (UGS=10÷15V)80 [mΩ]
tr (Turn-on / rise time)24 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)[ns]
fmax max.frequency (max./typ.)0.08 [MHz] ?

fmax - Definitionen für Komponenten


fmax = fT (BJT-transition frequency)

fmax = fmax (operation frequency)

Qg (Total Gate Charge)129 [nC]
Cin (Input Capacitance)1800 [pF]

Thermische und mechanische Parameter:

Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-50 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)150 [°C]
Rth-c (Wärmewiderstand)0.26 [°C/W] ?

Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten


Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse

Rth-c - Folienoberfläche inch2

Abmessungen der Anschlüsse0.00 [mm]

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EUR/Stück1,10681,03300,95920,8486
Gesamtbestand: 2275
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RoHS
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