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CSRI4x 50-120L1B

SiC Schottky 1 Phase Bridge 1200V/ 50A

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CSRI4x 50-120L1B Daco Semiconductor
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CSRI4x 50-120L1B Daco Semiconductor
Stück
ID Code:187013
Hersteller:Daco Semiconductor
Preis inkl. MwSt. : 148,7174 €
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MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:auf Anfrage
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Herstellerkennzeichnung: CSRI4x50-120L1B
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Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungCSRI4x50-120L1B 
Art der Komponente:Bridge 1f Uncontrolled Schottky 
KategorieBridge Schottky SiC 
Konfiguration:Bridge 1f 
Anzahl der Schaltungen (im Gehäuse) 2 ks
Art des Materials:SiC 
Luftspalt (nach Artikelnummer) 999.99 [mm]
RoHSJa 
REACHNein 
Gehäusetyp:MODUL 
Gehäuse:SOT-227 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:36 [g]
Verpackungstyp:TUBE 
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):13 

Elektrophysikalische Parameter:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V] ?

Udc - Definitionen für Komponenten


Udc = URRM - Diode

Udc = UDRM, URRM - Thyristor

Udc = UCEO - Transistoren

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)120 [A] ?

Strömen bei der niedrigsten Temperatur.
Die Angaben im Datenblatt.


Idc=IF (AV) - Diode

Idc=IT (AV) - Thyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Transistor: FET

 

 

Idc max (Tc/Ta=25°C)120 [A]
IF(AV) (Tc/Ta=120÷129°C)35 [A]
IF(AV) (Tc/Ta=130÷139°C)30 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
UF (maximum forward voltage)1.8 [VDC] ?

Testbedingungen:
Ta=25°C, IF=In/Imax

IR (Rückstrom)60 [µA]
Ifsm400 A

Thermische und mechanische Parameter:

Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-55 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)175 [°C]
RM - Anschlussraster15 [mm]
RM1 - Abstand der Reihen 12.7 [mm]
D - Ø (Außendurchmesser)4.1 [mm]
W - Breite 25.3 [mm]
L - Länge 38.1 [mm]
H - Höhe 12 [mm]
Rozměry/Velikost (LxWxH)SOT-227 [mm]

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ID: 181709   Hersteller-Nr.: F05-AL2-25,4x38,2mm-Uni  
Menge [Stück]1+10+50+100+
EUR/Stück0,77760,75170,69990,6264
Bestellt
Hersteller: SEMIC EU  
RoHS
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