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BYW80-200G

Rectifier Diode Switching 200V 8A 35ns 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube

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BYW80-200G ON Semiconductor (Farchild)
BYW80-200G ON Semiconductor (Farchild)
Stück
ID Code:161254
Hersteller:ON Semiconductor (Farchild)
Preis inkl. MwSt. : 0,7068 €
Preis ohne MwSt. : 0,5842 €
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:auf Anfrage
Gesamtbestand:0 Stück
Herstellerkennzeichnung: BYW80-200G
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Rectifier Diode Switching 200V 8A 35ns 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube

Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungBYW80-200G 
Gehäusetyp:THT 
Gehäuse:TO-220AC 
KategorieDiode Fast THT 
Art der Komponente:!_diode fast_! 
Konfiguration:1xDiode 
Art des Materials:!_si-silicon_! 
Luftspalt (nach Artikelnummer) 999.99 [mm]
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:1.8 [g]
Verpackungstyp:TUBE 
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):50 

Elektrophysikalische Parameter:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 200 [V] ?

Udc - Definitionen für Komponenten


Udc = URRM - Diode

Udc = UDRM, URRM - Thyristor

Udc = UCEO - Transistoren

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)10 [A] ?

Strömen bei der niedrigsten Temperatur.
Die Angaben im Datenblatt.


Idc=IF (AV) - Diode

Idc=IT (AV) - Thyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Transistor: FET

 

 

Idc max (Tc/Ta=90÷99°C)10 [A]
UF (maximum forward voltage)1.15 [VDC] ?

Testbedingungen:
Ta=25°C, IF=In/Imax

IR (Rückstrom)10 [µA]
trr Wiederherstellungszeit (If=Inom.,@25°C)35 [ns]

Thermische und mechanische Parameter:

Tmin (minimale Arbeitstemperatur)[°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)150 [°C]
Rth-c (Wärmewiderstand)2.5 [°C/W] ?

Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten


Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse

Rth-c - Folienoberfläche inch2

Anzahl der Stifte
Abmessungen der Anschlüsse0.00 [mm]

Alternativen und Ersätze

Alternative Produkte 2:BYW80-200 

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