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BSM50GP120

IGBT 1200V

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BSM50GP120 Infineon (Siemens)
Stück
ID Code:161563
Hersteller:Infineon (Siemens)
Preis inkl. MwSt. : 272,1493 €
Preis ohne MwSt. : 224,9167 €
MwSt.:21 %
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Herstellerkennzeichnung: BSM50GP120
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IGBT 1200V

Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungBSM50GP120 
Gehäusetyp:MODUL 
KategorieIGBT Full Silicon 
Konfiguration:!_cbi module_! 
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKA

Elektrische Parameter:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V] ?

Udc - Definitionen für Komponenten


Udc = URRM - Diode

Udc = UDRM, URRM - Thyristor

Udc = UCEO - Transistoren

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)80 [A] ?

Strömen bei der niedrigsten Temperatur.
Die Angaben im Datenblatt.


Idc=IF (AV) - Diode

Idc=IT (AV) - Thyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Transistor: FET

 

 

Idc max (Tc/Ta=25°C)80 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)50 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
UF (maximum forward voltage)1.05 [VDC] ?

Testbedingungen:
Ta=25°C, IF=In/Imax

UCE (sat) (@25°C)2.2 [V]
I2t (TC/TA=25°C)1.2 [1000*A2s]
Pmax mit Kühler (TC=25°C)230 [W]
tr (Turn-on / rise time)65 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)45 [ns]
fmax max.frequency (max./typ.)0.015 [MHz] ?

fmax - Definitionen für Komponenten


fmax = fT (BJT-transition frequency)

fmax = fmax (operation frequency)

Cin (Input Capacitance)3300 [pF]

Material, Farbe, Design:

Art des Materials:!_si-silicon_! 

Thermische und mechanische Parameter:

Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-40 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)125 [°C]
Rth-c (Wärmewiderstand)0.35 [°C/W] ?

Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten


Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse

Rth-c - Folienoberfläche inch2

Abmessungen:

Abmessungen der Anschlüsse0.00 [mm]

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:300 [g]
VPE (Verpackung):10 

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