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BDX33C

NPN Darlington Bipolartransistor

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BDX33C ST Microelectronics
BDX33C ST Microelectronics
Stück
ID Code:130305
Hersteller:ST Microelectronics
Preis inkl. MwSt. : 0,4866 €
Preis ohne MwSt. : 0,4021 €
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Verfügbarkeit:Auf Lager
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Herstellerkennzeichnung: BDX33C
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NPN Darlington Bipolartransistor

Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungBDX33C 
Gehäusetyp:THT 
Gehäuse:TO-220AB 
KategorieBipolar NPN Darlington 
Art der Komponente:!_npn-darlington_! 
Konfiguration:!_single 1*(t+d)_! 
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Elektrische Parameter:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 100 [V] ?

Udc - Definitionen für Komponenten


Udc = URRM - Diode

Udc = UDRM, URRM - Thyristor

Udc = UCEO - Transistoren

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)10 [A] ?

Strömen bei der niedrigsten Temperatur.
Die Angaben im Datenblatt.


Idc=IF (AV) - Diode

Idc=IT (AV) - Thyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Transistor: FET

 

 

Idc max (Tc/Ta=25°C)10 [A]
UF (maximum forward voltage)[VDC] ?

Testbedingungen:
Ta=25°C, IF=In/Imax

UCE (sat) (@25°C)2.5 [V]
Pmax mit Kühler (TC=25°C)70 [W]
hFE current gain (max./typ.)> 750 

Material, Farbe, Design:

Art des Materials:!_si-silicon_! 

Thermische und mechanische Parameter:

Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-65 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)150 [°C]

Abmessungen:

Anzahl der Stifte
Abmessungen der Anschlüsse0.00 [mm]

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:2.78 [g]
VPE (Verpackung):50 

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