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BC640-16ZL1G

PNP-Bipolartransistor

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BC640-16ZL1G ON Semiconductor (Farchild)
BC640-16ZL1G ON Semiconductor (Farchild)
Stück
ID Code:133482
Hersteller:ON Semiconductor (Farchild)
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Herstellerkennzeichnung: BC640-16ZL1G
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PNP-Bipolartransistor

Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungBC640-16ZL1G 
Gehäusetyp:THT 
Gehäuse:TO- 92/3-W 
KategorieBipolar PNP 
Art der Komponente:!_pnp_! 
Konfiguration:single Transistor 
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Elektrische Parameter:

Udc (URRM, UCEO, Umax) -80 [V] ?

Udc - Definitionen für Komponenten


Udc = URRM - Diode

Udc = UDRM, URRM - Thyristor

Udc = UCEO - Transistoren

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)-1 [A] ?

Strömen bei der niedrigsten Temperatur.
Die Angaben im Datenblatt.


Idc=IF (AV) - Diode

Idc=IT (AV) - Thyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Transistor: FET

 

 

Idc max (Tc/Ta=25°C)-1 [A]
UCE (sat) (@25°C)-0.5 [V]
Pmax mit Kühler (TC=25°C)1.5 [W]
Pmax ohne Kühler ( TA=25°C)0.625 [W]
fmax max.frequency (max./typ.)150 [MHz] ?

fmax - Definitionen für Komponenten


fmax = fT (BJT-transition frequency)

fmax = fmax (operation frequency)

hFE current gain (max./typ.)100÷250 

Material, Farbe, Design:

Art des Materials:!_si-silicon_! 

Thermische und mechanische Parameter:

Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-65 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)150 [°C]
Rth-c (Wärmewiderstand)83.3 [°C/W] ?

Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten


Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse

Rth-c - Folienoberfläche inch2

Rth-a (Wärmewiderstand)200 [°C/W] ?

Rth-a - Definition für die verschiedene Komponenten


Rth-a = Rthja für das gesamte Gehäuse

Rth-a - Kühler Länge L=100mm

Rth-a - Kühler /pc

Abmessungen:

Anzahl der Stifte
Abmessungen der Anschlüsse0.00 [mm]

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:0.35 [g]
VPE (Verpackung):5000 

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