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BAS40-04

Halbleiter - Dioden - Schottky - Silicon
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BAS40-04 NXP Semiconductors (Philips)
BAS40-04 NXP Semiconductors (Philips)
BAS40_NX.pdf
BAS40_NX.pdf
Stück
ID Code:154702
Hersteller:NXP Semiconductors (Philips)
Preis inkl. MwSt. : 0,0536 €
Preis ohne MwSt. : 0,0443 €
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:auf Anfrage
Gesamtbestand:0 Stück
Herstellerkennzeichnung: BAS40-04
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Externlager (Lieferzeit 5÷10 Tage): 0 Stück
Einheit:: Stück
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300 + 0,0362 €0,0437 €
1000 + 0,0314 €0,0379 €


Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungBAS40-04 
Gehäusetyp:SMD 
Gehäuse:SOT- 23/3 
KategorieDiode Schottky SMD 
Art der Komponente:!_diode schottky silicon_! 
Konfiguration:2xDiode, Serie 
Anzahl der Schaltungen (im Gehäuse) 2 ks
Art des Materials:!_si-silicon_! 
Luftspalt (nach Artikelnummer) 999.99 [mm]
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKAN 
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:0.01 [g]
Verpackungstyp:K18A 
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):3000 

Elektrophysikalische Parameter:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 40 [V] ?

Udc - Definitionen für Komponenten

Udc = URRM - Diode

Udc = UDRM, URRM - Thyristor

Udc = UCEO - Transistoren

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)0.12 [A] ?

Strömen bei der niedrigsten Temperatur.
Die Angaben im Datenblatt.

Idc=IF (AV) - Diode

Idc=IT (AV) - Thyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Transistor: FET

 

 

Idc max (Tc/Ta=25°C)0.12 [A]
UF (maximum forward voltage)1 [VDC] ?

Testbedingungen:
Ta=25°C, IF=In/Imax

IR (Rückstrom)10 [µA]
du/dt (critical rate of rise of on-state voltage)999999 [V/µs]

Thermische und mechanische Parameter:

Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-65 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)150 [°C]
Rth-a (Wärmewiderstand)400 [°C/W] ?

Rth-a - Definition für die verschiedene Komponenten

Rth-a = Rthja für das gesamte Gehäuse

Rth-a - Kühler Länge L=100mm

Rth-a - Kühler /pc

Abmessungen der Anschlüsse0.00 [mm]

Alternativen und Ersätze

Alternative 1:- BAS40-04 &DI () 
Alternative Produkte 1:BAT54S, BAR43S 

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