APTM120UM70DAG
MOSFET Single 1200V/171A with Series diodes
| ID Code: | 185819 |
| Hersteller: | Microchip Technology - Microsemi |
| Preis inkl. MwSt. : | 414,7480 € |
| Preis ohne MwSt. : | 342,7669 € |
| MwSt.: | 21 % |
| Verfügbarkeit: | auf Anfrage |
| Gesamtbestand: | 0 Stück |
| Herstellerkennzeichnung: | APTM120UM70DAG |
| Zentrallager Zdice: | 0 Stück |
| Externlager (Lieferzeit 5÷10 Tage): | 0 Stück |
| Einheit:: | Stück |
| Mengenrabatt | Anzahl | Preis ohne MwSt. | Preis inkl. MwSt. | |
| 1 + | 342,7669 € | 414,7480 € | ||
| 5 + | 328,4784 € | 397,4589 € | ||
| 10 + | 314,1899 € | 380,1697 € | ||
| 25 + | 299,9408 € | 362,9284 € |
Grundlegende Informationen:
| Herstellerkennzeichnung | APTM120UM70DAG |
| Gehäusetyp: | MODUL |
| Gehäuse: | !_modul-sp6_! |
| Kategorie | FET N-Channel |
| Konfiguration: | !_single 1*(t+d)_! |
| Art des Materials: | !_si-silicon_! |
| RoHS | Ja |
| REACH | Nein |
| NOVINKA | A |
| RoHS1 | Ano |
Verpackung und Gewicht:
| Einheit: | Stück |
| Gewicht: | 300 [g] |
| Verpackungstyp: | BOX |
| Kleinpackung (Anzahl der Einheiten): | 3 |
Elektrophysikalische Parameter:
| Udc (URRM, UCEO, Umax) | 1200 [V] ? Udc - Definitionen für Komponenten Udc = URRM - Diode Udc = UDRM, URRM - Thyristor Udc = UCEO - Transistoren Udc = Umax - |
| Idc max (Tc/Ta=25÷160°C) | 171 [A] ? Strömen bei der niedrigsten Temperatur. Idc=IF (AV) - Diode Idc=IT (AV) - Thyristor Idc=IC max - BJT, IGBT Idc=ID max - Transistor: FET
|
| Idc max (Tc/Ta=25°C) | 171 [A] |
| Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) | 126 [A] |
| Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 4000 [V] |
| UF (maximum forward voltage) | 2.5 [VDC] ? Testbedingungen: |
| Pmax mit Kühler (TC=25°C) | 5000 [W] |
| Input Logic Level (UGS level) | 30V |
| RDS (on) 10V (UGS=10÷15V) | 80 [mΩ] |
| trr Wiederherstellungszeit (If=Inom.,@25°C) | 400 [ns] |
| tr (Turn-on / rise time) | 17 [ns] |
| tf/tq (Turn-off / fall time) | 62 [ns] |
| fmax max.frequency (max./typ.) | 0.05 [MHz] ? fmax - Definitionen für Komponenten fmax = fT (BJT-transition frequency) fmax = fmax (operation frequency) |
| Qg (Total Gate Charge) | 1650 [nC] |
| Cin (Input Capacitance) | 43500 [pF] |
Thermische und mechanische Parameter:
| Tmin (minimale Arbeitstemperatur) | -40 [°C] |
| Tmax (maximale Arbeitstemperatur) | 150 [°C] |
| Rth-c (Wärmewiderstand) | 0.025 [°C/W] ? Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse Rth-c - Folienoberfläche inch2 |
| Rthjc1 IGBT | 0.08 [°C/W] |
| Rthjc2 Dioda, Tyristor | 0.14 [°C/W] |
| Abmessungen der Anschlüsse | 0.00 [mm] |