MOSFET Single 1200V/171A with Series diodes
ID Code: | 185819 |
Hersteller: | Microsemi / Microchip Technology |
Preis inkl. MwSt. : | 414,5383 € |
Preis ohne MwSt. : | 342,5936 € |
MwSt.: | 21 % |
Verfügbarkeit: | auf Anfrage |
Gesamtbestand: | 0 Stück |
Herstellerkennzeichnung: | APTM120UM70DAG |
Zentrallager Zdice: | 0 Stück |
Externlager (Lieferzeit 5÷10 Tage): | 0 Stück |
Einheit:: | Stück |
Mengenrabatt | Anzahl | Preis ohne MwSt. | Preis inkl. MwSt. |
1 + | 342,5936 € | 414,5383 € |
3 + | 333,9974 € | 404,1369 € |
6 + | 316,8788 € | 383,4234 € |
12 + | 291,2009 € | 352,3531 € |
Herstellerkennzeichnung | APTM120UM70DAG |
Gehäusetyp: | MODUL |
Gehäuse: | !_modul-sp6_! |
Kategorie | FET N-Channel |
Konfiguration: | !_single 1*(t+d)_! |
Art des Materials: | !_si-silicon_! |
RoHS | Ja |
REACH | Nein |
NOVINKA | A |
RoHS1 | Ano |
Einheit: | Stück |
Gewicht: | 300 [g] |
Verpackungstyp: | BOX |
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten): | 3 |
Udc (URRM, UCEO, Umax) | 1200 [V] ? Udc - Definitionen für Komponenten Udc = URRM - Diode Udc = UDRM, URRM - Thyristor Udc = UCEO - Transistoren Udc = Umax - |
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C) | 171 [A] ? Strömen bei der niedrigsten Temperatur. Idc=IF (AV) - Diode Idc=IT (AV) - Thyristor Idc=IC max - BJT, IGBT Idc=ID max - Transistor: FET
|
Idc max (Tc/Ta=25°C) | 171 [A] |
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) | 126 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 4000 [V] |
UF (maximum forward voltage) | 2.5 [VDC] ? Testbedingungen: |
Pmax mit Kühler (TC=25°C) | 5000 [W] |
Input Logic Level (UGS level) | 30V |
RDS (on) 10V (UGS=10÷15V) | 80 [mΩ] |
trr Wiederherstellungszeit (If=Inom.,@25°C) | 400 [ns] |
tr (Turn-on / rise time) | 17 [ns] |
tf/tq (Turn-off / fall time) | 62 [ns] |
fmax max.frequency (max./typ.) | 0.05 [MHz] ? fmax - Definitionen für Komponenten fmax = fT (BJT-transition frequency) fmax = fmax (operation frequency) |
Qg (Total Gate Charge) | 1650 [nC] |
Cin (Input Capacitance) | 43500 [pF] |
Tmin (minimale Arbeitstemperatur) | -40 [°C] |
Tmax (maximale Arbeitstemperatur) | 150 [°C] |
Rth-c (Wärmewiderstand) | 0.025 [°C/W] ? Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse Rth-c - Folienoberfläche inch2 |
Rthjc1 IGBT | 0.08 [°C/W] |
Rthjc2 Dioda, Tyristor | 0.14 [°C/W] |
Abmessungen der Anschlüsse | 0.00 [mm] |