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APTM120H29FG

MOSFET Full Bridge1200V/34A

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APTM120H29FG Microsemi / Microchip Technology
APTM120H29FG Microsemi / Microchip Technology
Stück
ID Code:185816
Hersteller:Microsemi / Microchip Technology
Preis inkl. MwSt. : 385,5215 €
Preis ohne MwSt. : 318,6128 €
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:auf Anfrage
Gesamtbestand:0 Stück
Herstellerkennzeichnung: APTM120H29FG
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12 + 270,8356 €327,7111 €


Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungAPTM120H29FG 
Gehäusetyp:MODUL 
Gehäuse:!_modul-sp6c_! 
KategorieFET N-Channel 
Konfiguration:Full Bridge 
Art des Materials:!_si-silicon_! 
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:300 [g]
Verpackungstyp:BOX 
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):

Elektrophysikalische Parameter:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V] ?

Udc - Definitionen für Komponenten


Udc = URRM - Diode

Udc = UDRM, URRM - Thyristor

Udc = UCEO - Transistoren

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)34 [A] ?

Strömen bei der niedrigsten Temperatur.
Die Angaben im Datenblatt.


Idc=IF (AV) - Diode

Idc=IT (AV) - Thyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Transistor: FET

 

 

Idc max (Tc/Ta=25°C)34 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)25 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
Pmax mit Kühler (TC=25°C)780 [W]
Input Logic Level (UGS level)30V 
RDS (on) 10V (UGS=10÷15V)348 [mΩ]
trr Wiederherstellungszeit (If=Inom.,@25°C)320 [ns]
tr (Turn-on / rise time)15 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)45 [ns]
fmax max.frequency (max./typ.)0.05 [MHz] ?

fmax - Definitionen für Komponenten


fmax = fT (BJT-transition frequency)

fmax = fmax (operation frequency)

Qg (Total Gate Charge)374 [nC]
Cin (Input Capacitance)10300 [pF]

Thermische und mechanische Parameter:

Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-40 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)150 [°C]
Rth-c (Wärmewiderstand)0.16 [°C/W] ?

Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten


Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse

Rth-c - Folienoberfläche inch2

Rthjc1 IGBT0.08 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.14 [°C/W]
Abmessungen der Anschlüsse0.00 [mm]

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