APTM120A20SG
MOSFET Half Bridge1200V/50A + Series Diodes & Parallel Diodes
| ID Code: | 185809 |
| Hersteller: | Microsemi / Microchip Technology |
| Preis inkl. MwSt. : | 318,4258 € |
| Preis ohne MwSt. : | 263,1618 € |
| MwSt.: | 21 % |
| Verfügbarkeit: | auf Anfrage |
| Gesamtbestand: | 0 Stück |
| Herstellerkennzeichnung: | APTM120A20SG |
| Einheit:: | Stück |
| Mengenrabatt | Anzahl | Preis ohne MwSt. | Preis inkl. MwSt. |
| 1 + | 263,1618 € | 318,4258 € |
| 3 + | 256,5947 € | 310,4796 € |
| 6 + | 243,4237 € | 294,5427 € |
| 12 + | 223,6857 € | 270,6597 € |
Grundlegende Informationen:
| Herstellerkennzeichnung | APTM120A20SG |
| Gehäusetyp: | MODUL |
| Gehäuse: | !_modul-sp6_! |
| Kategorie | FET+Diode (FETKY) |
| Konfiguration: | Half Bridge |
| Art des Materials: | !_si-silicon_! |
| RoHS | Ja |
| REACH | Nein |
| NOVINKA | N |
| RoHS1 | Ano |
Verpackung und Gewicht:
| Einheit: | Stück |
| Gewicht: | 300 [g] |
| Verpackungstyp: | BOX |
| Kleinpackung (Anzahl der Einheiten): | 4 |
Elektrophysikalische Parameter:
| Udc (URRM, UCEO, Umax) | 1200 [V] ? Udc - Definitionen für Komponenten Udc = URRM - Diode Udc = UDRM, URRM - Thyristor Udc = UCEO - Transistoren Udc = Umax - |
| Idc max (Tc/Ta=25÷160°C) | 50 [A] ? Strömen bei der niedrigsten Temperatur. Idc=IF (AV) - Diode Idc=IT (AV) - Thyristor Idc=IC max - BJT, IGBT Idc=ID max - Transistor: FET
|
| Idc max (Tc/Ta=25°C) | 50 [A] |
| Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) | 37 [A] |
| Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 4000 [V] |
| UF (maximum forward voltage) | 2.5 [VDC] ? Testbedingungen: |
| Pmax mit Kühler (TC=25°C) | 1250 [W] |
| Input Logic Level (UGS level) | 30V |
| RDS (on) 10V (UGS=10÷15V) | 240 [mΩ] |
| trr Wiederherstellungszeit (If=Inom.,@25°C) | 400 [ns] |
| tr (Turn-on / rise time) | 10 [ns] |
| tf/tq (Turn-off / fall time) | 36 [ns] |
| fmax max.frequency (max./typ.) | 0.05 [MHz] ? fmax - Definitionen für Komponenten fmax = fT (BJT-transition frequency) fmax = fmax (operation frequency) |
| Qg (Total Gate Charge) | 600 [nC] |
| Cin (Input Capacitance) | 15200 [pF] |
Thermische und mechanische Parameter:
| Tmin (minimale Arbeitstemperatur) | -40 [°C] |
| Tmax (maximale Arbeitstemperatur) | 150 [°C] |
| Rth-c (Wärmewiderstand) | 0.1 [°C/W] ? Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse Rth-c - Folienoberfläche inch2 |
| Rthjc1 IGBT | 0.08 [°C/W] |
| Rthjc2 Dioda, Tyristor | 0.14 [°C/W] |
| Abmessungen der Anschlüsse | 0.00 [mm] |
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