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APTM120A15FG
MOSFET Half Bridge1200V/60A
| ID Code: | 185810 |
| Hersteller: | Microchip Technology |
| Preis inkl. MwSt. : | 591,150772 € |
| Preis ohne MwSt. : | 488,554357 € |
| MwSt.: | 21 % |
| Verfügbarkeit: | auf Anfrage |
| Gesamtbestand: | 0 Stück |
| Herstellerkennzeichnung: | APTM120A15FG |
| Einheit:: | Stück |
| Übersicht über Mengenrabatte | Anzahl (Stück) | Preis ohne MwSt. | Preis inkl. MwSt. | |
| 1 + | 488,554357 € | 591,150772 € | ||
| 5 + | 468,197926 € | 566,519490 € | ||
| 10 + | 447,841494 € | 541,888208 € | ||
| 25 + | 427,485062 € | 517,256926 € |
Grundlegende Informationen:
| Herstellerkennzeichnung | APTM120A15FG |
| Art der Komponente: | FET Tranzistor |
| Kategorie | FET N-Channel |
| Konfiguration: | Half Bridge |
| Spezifikationen: | !_enhancement mode_! |
| Konstruktion: | 2*FET-BD |
| Anzahl der Schaltungen (im Gehäuse) | 2 ks |
| Art des Materials: | Si-Silicon |
| RoHS | Ja |
| REACH | Nein |
| Gehäusetyp: | MODUL |
| Gehäuse: | !_sp6-3_! |
| NOVINKA | A |
| RoHS1 | Ano |
Verpackung und Gewicht:
| Einheit: | Stück |
| Gewicht: | 330 [g] |
| Verpackungstyp: | BOX |
| Kleinpackung (Anzahl der Einheiten): | 4 |
Elektrophysikalische Parameter:
| Udc (URRM, UCEO, Umax) | 1200 [V] ? Udc - Definitionen für Komponenten Udc = URRM - Diode Udc = UDRM, URRM - Thyristor Udc = UCEO - Transistoren Udc = Umax - |
| Idc max (Tc/Ta=25÷160°C) | 60 [A] ? Strömen bei der niedrigsten Temperatur. Idc=IF (AV) - Diode Idc=IT (AV) - Thyristor Idc=IC max - BJT, IGBT Idc=ID max - Transistor: FET
|
| Idc max (Tc/Ta=25°C) | 60 [A] |
| Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) | 45 [A] |
| Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 4000 [V] |
| Pmax mit Kühler (TC=25°C) | 1250 [W] |
| Input Logic Level (UGS level) | 30V |
| RDS (on) 10V (UGS=10÷15V) | 175 [mΩ] |
| trr Wiederherstellungszeit (If=Inom.,@25°C) | 320 [ns] |
| tr (Turn-on / rise time) | 15 [ns] |
| tf/tq (Turn-off / fall time) | 45 [ns] |
| f max | 50 [kHz] |
| Qg (Total Gate Charge) | 748 [nC] |
| Cin (Input Capacitance) | 20600 [pF] |
Thermische und mechanische Parameter:
| Tmin (minimale Arbeitstemperatur) | -40 [°C] |
| Tmax (maximale Arbeitstemperatur) | 150 [°C] |
| Rth-c (Wärmewiderstand) | 0.1 [°C/W] ? Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse Rth-c - Folienoberfläche inch2 |
| Rthjc1 IGBT | 0.08 [°C/W] |
| Rthjc2 Dioda, Tyristor | 0.14 [°C/W] |
| RM - Anschlussraster | 6 [mm] |
| W - Breite | 62 [mm] |
| L - Länge | 108 [mm] |
| H - Höhe | 17 [mm] |
| Rozměry/Velikost (LxWxH) | 108x62x17 [mm] |
| Abmessungen der Anschlüsse | 2,8 [mm] |
| Lv - Anschlusslänge | 5 [mm] |