IGBT 650V
ID Code: | 185776 |
Hersteller: | Microsemi / Microchip Technology |
Preis inkl. MwSt. : | 113,3440 € |
Preis ohne MwSt. : | 93,6728 € |
MwSt.: | 21 % |
Verfügbarkeit: | auf Anfrage |
Gesamtbestand: | 0 Stück |
Herstellerkennzeichnung: | APTGTQ200A65T3G |
Einheit:: | Stück |
Mengenrabatt | Anzahl | Preis ohne MwSt. | Preis inkl. MwSt. |
1 + | 93,6728 € | 113,3440 € |
3 + | 91,3485 € | 110,5316 € |
6 + | 86,6630 € | 104,8622 € |
12 + | 79,6163 € | 96,3357 € |
Herstellerkennzeichnung | APTGTQ200A65T3G |
Gehäusetyp: | MODUL |
Gehäuse: | !_modul-sp3f_! |
Kategorie | IGBT Full Silicon |
Konfiguration: | Half Bridge |
Art des Materials: | !_si-silicon_! |
RoHS | Ja |
REACH | Nein |
NOVINKA | A |
RoHS1 | Ano |
Einheit: | Stück |
Gewicht: | 110 [g] |
Verpackungstyp: | BOX |
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten): | 10 |
Udc (URRM, UCEO, Umax) | 650 [V] ? Udc - Definitionen für Komponenten Udc = URRM - Diode Udc = UDRM, URRM - Thyristor Udc = UCEO - Transistoren Udc = Umax - |
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C) | 200 [A] ? Strömen bei der niedrigsten Temperatur. Idc=IF (AV) - Diode Idc=IT (AV) - Thyristor Idc=IC max - BJT, IGBT Idc=ID max - Transistor: FET
|
Idc max (Tc/Ta=25°C) | 200 [A] |
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) | 120 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 4000 [V] |
UF (maximum forward voltage) | 2.2 [VDC] ? Testbedingungen: |
UCE (sat) (@25°C) | 2.2 [V] |
Pmax mit Kühler (TC=25°C) | 483 [W] |
Input Logic Level (UGS level) | 20V |
trr Wiederherstellungszeit (If=Inom.,@25°C) | 46 [ns] |
tr (Turn-on / rise time) | 15 [ns] |
tf/tq (Turn-off / fall time) | 18 [ns] |
fmax max.frequency (max./typ.) | 0.1 [MHz] ? fmax - Definitionen für Komponenten fmax = fT (BJT-transition frequency) fmax = fmax (operation frequency) |
Qg (Total Gate Charge) | 480 [nC] |
Cin (Input Capacitance) | 12000 [pF] |
Tmin (minimale Arbeitstemperatur) | -40 [°C] |
Tmax (maximale Arbeitstemperatur) | 175 [°C] |
Rthjc1 IGBT | 0.31 [°C/W] |
Rthjc2 Dioda, Tyristor | 0.35 [°C/W] |
Abmessungen der Anschlüsse | 0.00 [mm] |