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APTGTQ200A65T3G
IGBT 650V
| ID Code: | 185776 |
| Hersteller: | Microchip Technology |
| Preis inkl. MwSt. : | 162,5285 € |
| Preis ohne MwSt. : | 134,3210 € |
| MwSt.: | 21 % |
| Verfügbarkeit: | auf Anfrage |
| Gesamtbestand: | 0 Stück |
| Herstellerkennzeichnung: | APTGTQ200A65T3G |
| Zentrallager Zdice: | 0 Stück |
| Externlager (Lieferzeit 5÷10 Tage): | 0 Stück |
| Einheit:: | Stück |
| Mengenrabatt | Anzahl | Preis ohne MwSt. | Preis inkl. MwSt. | |
| 1 + | 134,3210 € | 162,5285 € | ||
| 5 + | 128,7256 € | 155,7579 € | ||
| 10 + | 123,1285 € | 148,9855 € | ||
| 25 + | 117,5318 € | 142,2135 € |
IGBT 650V Half-Bridge • High speed IGBT 5 up 100kHz
Grundlegende Informationen:
| Herstellerkennzeichnung | APTGTQ200A65T3G |
| Kategorie | IGBT Full Silicon |
| Konfiguration: | Half Bridge 1*(Phase Leg) |
| Art des Materials: | !_si-silicon_! |
| RoHS | Ja |
| REACH | Nein |
| Gehäusetyp: | MODUL |
| Gehäuse: | !_sp3f_! |
| NOVINKA | A |
| RoHS1 | Ano |
Verpackung und Gewicht:
| Einheit: | Stück |
| Gewicht: | 125 [g] |
| Verpackungstyp: | BOX |
| Kleinpackung (Anzahl der Einheiten): | 10 |
Elektrophysikalische Parameter:
| Udc (URRM, UCEO, Umax) | 650 [V] ? Udc - Definitionen für Komponenten Udc = URRM - Diode Udc = UDRM, URRM - Thyristor Udc = UCEO - Transistoren Udc = Umax - |
| Idc max (Tc/Ta=25÷160°C) | 200 [A] ? Strömen bei der niedrigsten Temperatur. Idc=IF (AV) - Diode Idc=IT (AV) - Thyristor Idc=IC max - BJT, IGBT Idc=ID max - Transistor: FET
|
| Idc max (Tc/Ta=25°C) | 200 [A] |
| Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) | 120 [A] |
| Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 4000 [V] |
| UF (maximum forward voltage) | 2.2 [VDC] ? Testbedingungen: |
| UCE (sat) (@25°C) | 2.2 [V] |
| Pmax mit Kühler (TC=25°C) | 483 [W] |
| Input Logic Level (UGS level) | 20V |
| trr Wiederherstellungszeit (If=Inom.,@25°C) | 46 [ns] |
| tr (Turn-on / rise time) | 15 [ns] |
| tf/tq (Turn-off / fall time) | 18 [ns] |
| Qg (Total Gate Charge) | 480 [nC] |
| Cin (Input Capacitance) | 12000 [pF] |
Thermische und mechanische Parameter:
| Tmin (minimale Arbeitstemperatur) | -40 [°C] |
| Tmax (maximale Arbeitstemperatur) | 175 [°C] |
| Rthjc1 IGBT | 0.31 [°C/W] |
| Rthjc2 Dioda, Tyristor | 0.35 [°C/W] |
| RM - Anschlussraster | 3.81 [mm] |
| RM1 - Abstand der Reihen | 38 [mm] |
| W - Breite | 42.5 [mm] |
| L - Länge | 73.4 [mm] |
| H - Höhe | 12 [mm] |
| Rozměry/Velikost (LxWxH) | 73x43x12 [mm] |
| Abmessungen der Anschlüsse | 1,35 [mm] |
| Lv - Anschlusslänge | 5.3 [mm] |