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APTGTQ100H65T3G

IGBT 650V

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APTGTQ100H65T3G Microsemi / Microchip Technology
APTGTQ100H65T3G Microsemi / Microchip Technology
Stück
ID Code:185771
Hersteller:Microsemi / Microchip Technology
Preis inkl. MwSt. : 118,5671 €
Preis ohne MwSt. : 97,9893 €
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:auf Anfrage
Gesamtbestand:0 Stück
Herstellerkennzeichnung: APTGTQ100H65T3G
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IGBT 650V H-Bridge • High speed IGBT 5

Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungAPTGTQ100H65T3G 
Gehäusetyp:MODUL 
Gehäuse:!_modul-sp3f_! 
KategorieIGBT Full Silicon 
Konfiguration:Full Bridge 
Art des Materials:!_si-silicon_! 
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:110 [g]
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):

Elektrophysikalische Parameter:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 650 [V] ?

Udc - Definitionen für Komponenten


Udc = URRM - Diode

Udc = UDRM, URRM - Thyristor

Udc = UCEO - Transistoren

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)100 [A] ?

Strömen bei der niedrigsten Temperatur.
Die Angaben im Datenblatt.


Idc=IF (AV) - Diode

Idc=IT (AV) - Thyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Transistor: FET

 

 

Idc max (Tc/Ta=25°C)100 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)60 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
UF (maximum forward voltage)2.2 [VDC] ?

Testbedingungen:
Ta=25°C, IF=In/Imax

UCE (sat) (@25°C)2.2 [V]
Pmax mit Kühler (TC=25°C)250 [W]
Input Logic Level (UGS level)20V 
trr Wiederherstellungszeit (If=Inom.,@25°C)46 [ns]
tr (Turn-on / rise time)15 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)18 [ns]
fmax max.frequency (max./typ.)0.1 [MHz] ?

fmax - Definitionen für Komponenten


fmax = fT (BJT-transition frequency)

fmax = fmax (operation frequency)

Qg (Total Gate Charge)240 [nC]
Cin (Input Capacitance)6000 [pF]

Thermische und mechanische Parameter:

Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-40 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)175 [°C]
Rthjc1 IGBT0.6 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.7 [°C/W]
Abmessungen der Anschlüsse0.00 [mm]

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