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APTGT600A60G

IGBT 600V

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APTGT600A60G Microsemi / Microchip Technology
APTGT600A60G Microsemi / Microchip Technology
Stück
ID Code:185795
Hersteller:Microsemi / Microchip Technology
Preis inkl. MwSt. : 334,5412 €
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MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:auf Anfrage
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IGBT 600V - Half Bridge, Trench + Field Stop IGBT3 Technology

Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungAPTGT600A60G 
Gehäusetyp:MODUL 
Gehäuse:!_modul-sp6_! 
KategorieIGBT Full Silicon 
Konfiguration:Half Bridge 
Art des Materials:!_si-silicon_! 
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:300 [g]
Verpackungstyp:BOX 
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):

Elektrophysikalische Parameter:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 600 [V] ?

Udc - Definitionen für Komponenten


Udc = URRM - Diode

Udc = UDRM, URRM - Thyristor

Udc = UCEO - Transistoren

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)700 [A] ?

Strömen bei der niedrigsten Temperatur.
Die Angaben im Datenblatt.


Idc=IF (AV) - Diode

Idc=IT (AV) - Thyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Transistor: FET

 

 

Idc max (Tc/Ta=25°C)700 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)600 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
UF (maximum forward voltage)1.9 [VDC] ?

Testbedingungen:
Ta=25°C, IF=In/Imax

UCE (sat) (@25°C)1.4 [V]
Pmax mit Kühler (TC=25°C)2300 [W]
Input Logic Level (UGS level)20V 
trr Wiederherstellungszeit (If=Inom.,@25°C)120 [ns]
tr (Turn-on / rise time)40 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)60 [ns]
fmax max.frequency (max./typ.)0.02 [MHz] ?

fmax - Definitionen für Komponenten


fmax = fT (BJT-transition frequency)

fmax = fmax (operation frequency)

Cin (Input Capacitance)49000 [pF]

Thermische und mechanische Parameter:

Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-40 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)150 [°C]
Rthjc1 IGBT0.065 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.11 [°C/W]
Abmessungen der Anschlüsse0.00 [mm]

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Menge [Stück]1+100+200+500+
EUR/Stück0,49360,44710,44710,4472
Gesamtbestand: 326
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Gesamtbestand: 326
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