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APTGT400A120D3G

IGBT 1200V

Halbleiter - Transistoren - IGBT - Full Silicon

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APTGT400A120D3G Microsemi / Microchip Technology

APTGT400A120D3G_Ms.pdf

Module_Brochure_Ms.pdf

ID Code:	185782
Hersteller:	Microsemi / Microchip Technology
Preis inkl. MwSt. :	335,2555 €
Preis ohne MwSt. :	277,0707 €
MwSt.:	21 %
Verfügbarkeit:	auf Anfrage
Gesamtbestand:	0 Stück
Herstellerkennzeichnung:	APTGT400A120D3G
Zentrallager Zdice:	0 Stück
Externlager (Lieferzeit 5÷10 Tage):	0 Stück
Einheit::	Stück

Mengenrabatt
Anzahl	Preis ohne MwSt.	Preis inkl. MwSt.
1 +	277,0707 €	335,2555 €
3 +	270,1347 €	326,8629 €
6 +	256,2996 €	310,1225 €
12 +	235,4916 €	284,9448 €

IGBT 1200V - Half Bridge, Trench + Field Stop IGBT3 Technology

Grundlegende Informationen:

Herstellerkennzeichnung	APTGT400A120D3G
Gehäusetyp:	MODUL
Gehäuse:	SEMITRANS-3
Kategorie	IGBT Full Silicon
Konfiguration:	Half Bridge
Art des Materials:	!_si-silicon_!
RoHS	Ja
REACH	Nein
NOVINKA	N
RoHS1	Ano

Verpackung und Gewicht:

Einheit:	Stück
Gewicht:	350 [g]
Verpackungstyp:	BOX
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):	3

Elektrophysikalische Parameter:

U_dc (U_RRM, U_CEO, U_max)	1200 [V] ? U_dc - Definitionen für Komponenten U_dc= U_RRM - Diode U_dc= U_DRM, U_RRM - Thyristor U_dc= U_CEO - Transistoren U_dc= U_max -
I_dc_max (Tc/Ta=25÷160°C)	580 [A] ? Strömen bei der niedrigsten Temperatur. Die Angaben im Datenblatt. I_dc=I_{F (AV)} - Diode I_dc=I_{T (AV)} - Thyristor I_dc=I_{C max} - BJT, IGBT I_dc=I_{D max} - Transistor: FET
I_{dc max} (Tc/Ta=25°C)	580 [A]
I_{dc max} (Tc/Ta=80÷89°C)	400 [A]
U_isol (@25°C/1min/50Hz)	4000 [V]
U_F (maximum forward voltage)	2.1 [V_DC] ? Testbedingungen: T_a=25°C, I_F=I_n/I_max
U_{CE (sat)} (@25°C)	1.7 [V]
P_max mit Kühler (T_C=25°C)	2100 [W]
Input Logic Level (U_GS level)	20V
t_rr Wiederherstellungszeit (If=Inom.,@25°C)	170 [ns]
t_r (Turn-on / rise time)	90 [ns]
t_f/t_q (Turn-off / fall time)	130 [ns]
f_max max.frequency (max./typ.)	0.02 [MHz] ? f_max - Definitionen für Komponenten f_max= f_T (BJT-transition frequency) f_max= f_max (operation frequency)
Q_g (Total Gate Charge)	3700 [nC]
C_in (Input Capacitance)	29000 [pF]

Thermische und mechanische Parameter:

T_min (minimale Arbeitstemperatur)	-40 [°C]
T_max (maximale Arbeitstemperatur)	150 [°C]
Rthjc1 IGBT	0.06 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor	0.13 [°C/W]
Abmessungen der Anschlüsse	0.00 [mm]

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auf Anfrage

Hersteller: -

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ID: 112542

Menge [Stück]	1+	100+	200+	500+
EUR/Stück	0,4936	0,4471	0,4471	0,4472

Gesamtbestand: 326

Hersteller: SEMIC CZ

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ID: 112541

Menge [Stück]	1+	100+	200+	500+
EUR/Stück	0,4936	0,4471	0,4471	0,4471

Gesamtbestand: 326

Hersteller: SEMIC CZ

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