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APT85GR120J

Trans IGBT Module N-CH 1200V 118A 595W SOT-227

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APT85GR120J Microchip Technology
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Stück
ID Code:187882
Hersteller:Microchip Technology
Preis inkl. MwSt. : 48,280458 €
Preis ohne MwSt. : 39,901205 €
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:auf Anfrage
Gesamtbestand:0 Stück
Herstellerkennzeichnung: APT85GR120J
Vorlaufzeit ab Werk: 42wk-49wk
Einheit:: Stück
Übersicht über Mengenrabatte
Anzahl (Stück)Preis ohne MwSt.Preis inkl. MwSt.
1 + 39,901205 €48,280458 €
5 + 38,239874 €46,270248 €
10 + 36,576961 €44,258123 €
25 + 34,914444 €42,246477 €


Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungAPT85GR120J 
Vorlaufzeit ab Werk42wk-49wk [wk]
Art der Komponente:IGBT-NPT 
KategorieIGBT Full Silicon 
Konfiguration:single (1T) 
Konstruktion:1*IGBT 
Anzahl der Schaltungen (im Gehäuse) 1 ks
Gehäusetyp:Modul 
Gehäuse [inch] :SOT-227 
Art des Materials:Si-Silicon 
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:36 [g]
Verpackungstyp:TUBE 
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):

Elektrophysikalische Parameter:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)118 [A]
Idc max (Tc/Ta=70÷79°C)85 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
UCE (sat) (@25°C)2.5 [V]
Pmax mit Kühler (TC=25°C)595 [W]
tr (Turn-on / rise time)70 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)85 [ns]
Qg (Total Gate Charge)490 [nC]
Cin (Input Capacitance)8400 [pF]

Thermische und mechanische Parameter:

Maße (L*W*H) [mm]:38.1*25.3*12.0 
Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-55 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)150 [°C]
Rth-c (Wärmewiderstand)0.21 [°C/W] ?

Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten


Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse

Rth-c - Folienoberfläche inch2

RM - Anschlussraster15 [mm]
RM1 - Abstand der Reihen 12.7 [mm]
D - Ø (Außendurchmesser)4.1 [mm]
L - Länge 38.1 [mm]
W - Breite 25.3 [mm]
H - Höhe 12 [mm]

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